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1. (WO2004008513) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/008513    International Application No.:    PCT/JP2003/008964
Publication Date: 22.01.2004 International Filing Date: 15.07.2003
IPC:
C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Applicants: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-20, 3-chome, Higashi-Nakano, Nakano-ku, Tokyo 164-8511 (JP) (For All Designated States Except US).
ITATANI, Hideharu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HORII, Sadayoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ASAI, Masayuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SANO, Atsushi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ITATANI, Hideharu; (JP).
HORII, Sadayoshi; (JP).
ASAI, Masayuki; (JP).
SANO, Atsushi; (JP)
Agent: YUI, Tohru; 21 TOWA BLDG. 3F, 4-6-1, Iidabashi, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0072 (JP)
Priority Data:
2002-205627 15.07.2002 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
Abstract: front page image
(EN)A conductive metal film of high productivity, which is excellent in step coverage and adhesion. A metal film or metal oxide film, which is preferable as a capacitance electrode, is formed on a substrate by conducting an excited gas supply process after a material gas supply process. In the material gas supply process, a gas of vaporized organic metal material is supplied to the substrate, and the material is adsorbed onto the substrate. In the excited gas supply process, a gas containing oxygen or nitrogen excited by plasma is supplied to form a film on the substrate by resolving the material absorbed onto the substrate. The entire process, in which a film is formed on a substrate by conducting the material gas supply process and the excited gas supply process once or repeating these processes several times, is made an initial deposition process. It is possible to obtain a desired film thickness through this initial deposition process only, but a film may be formed by two-step process in which a main deposition process is conducted after the initial deposition process. This main deposition process is a thermal CVD process in which a gas of vaporized organic metal material and a gas containing oxygen or nitrogen, which is not excited by plasma, are supplied at the same time.
(FR)L'invention concerne un film métallique conducteur de haute productivité qui est excellent dans les étapes de recouvrement et d'adhésion. Un film métallique ou un film d'oxyde métallique qui se présente, de préférence, comme une électrode capacité, est formé sur un substrat par la réalisation d'un processus d'alimentation en gaz excité après un processus d'alimentation en gaz matière. Dans un processus d'alimentation en gaz matière, le substrat est exposé à un gaz de matériau métallique organique vaporisé et la matière est adsorbée par le substrat. Dans le processus d'alimentation en gaz excité, on utilise un gaz contenant de l'oxygène ou de l'azote et excité au plasma pour former un film sur le substrat par séparation de la matière absorbée par le substrat. Tout le procédé selon lequel un film est formé sur un substrat par la réalisation du processus d'alimentation en gaz matière et le processus d'alimentation en gaz excité une fois ou plusieurs fois, est un procédé de dépôt initial. Il est possible d'obtenir un film d'une épaisseur souhaité par ce seul procédé de dépôt initial mais un film peut être formé par un procédé en deux étapes dans lequel un procédé de dépôt principal est effectué après le procédé de dépôt initial. Le procédé de dépôt principal est un procédé CVD thermique dans lequel un gaz de matériau métallique organique vaporisé et un gaz contenant de l'oxygène ou de l'azote, qui n'est pas excité au plasma, sont cédés en même temps.
(JA)段差被覆性、密着性に優れ、生産性の高い導電性金属膜を得る。 原料ガス供給工程の後に励起ガス供給工程を行なって、基板上に容量電極として好適な導電性の金属膜または金属酸化膜を形成する。原料ガス供給工程では、基板に対して有機金属原料を気化したガスを供給して原料を基板上に吸着させる。励起ガス供給工程では、プラズマにより励起した酸素または窒素含有ガスを供給して、基板上に吸着した原料を分解させて膜を形成する。原料ガス供給工程と励起ガス供給工程とを1回または複数回繰り返すことにより膜を形成する工程を初期成膜工程とする。なお、この初期成膜工程の一段階のみで所望の膜厚を得ることができるが、その後に、有機金属原料を気化したガスとプラズマにより励起しない酸素含有ガスまたは窒素含有ガスとを同時に供給する熱CVD法を用いる本成膜工程を行なって2段階で成膜してもよい。
Designated States: CN, JP, KR, US.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)