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1. (WO2004008511) CRYSTALLIZING APPARATUS AND CRYSTALLIZING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/008511    International Application No.:    PCT/JP2003/003367
Publication Date: 22.01.2004 International Filing Date: 19.03.2003
IPC:
B23K 26/06 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Applicants: ADVANCED LCD TECHNOLOGIES DEVELOPMENT CENTER CO., LTD. [JP/JP]; 292, Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 244-0817 (JP) (For All Designated States Except US).
TANIGUCHI, Yukio [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUMURA, Masakiyo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMAGUCHI, Hirotaka [JP/JP]; (JP) (For US Only).
NISHITANI, Mikihiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TSUJIKAWA, Susumu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KIMURA, Yoshinobu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
JYUMONJI, Masayuki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TANIGUCHI, Yukio; (JP).
MATSUMURA, Masakiyo; (JP).
YAMAGUCHI, Hirotaka; (JP).
NISHITANI, Mikihiko; (JP).
TSUJIKAWA, Susumu; (JP).
KIMURA, Yoshinobu; (JP).
JYUMONJI, Masayuki; (JP)
Agent: SUZUYE, Takehiko; c/o SUZUYE & SUZUYE, 7-2, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0013 (JP)
Priority Data:
2002-202009 11.07.2002 JP
Title (EN) CRYSTALLIZING APPARATUS AND CRYSTALLIZING METHOD
(FR) APPAREIL DE CRISTALLISATION ET PROCEDE DE CRISTALLISATION
(JA) 結晶化装置および結晶化方法
Abstract: front page image
(EN)A crystallizing apparatus comprising an illumination system (2) for illuminating a phase shift mask (1), an image forming optical system (3) disposed in the optical path between the phase shift mask and a semiconductor film (4), wherein a light beam having a light intensity distribution of a reverse peak pattern in which the light intensity is smallest at a part corresponding to a phase shift portion is applied to a semiconductor film so as to form a crystallized semiconductor film. The illumination system has a light source for supplying a light having wavelengths over a predetermined wavelength range. The image forming system is so disposed that the phase shift mask is optically conjugate to the semiconductor film. The image forming optical system has an aberration corresponding a predetermined wavelength range so as to form an inverse peak pattern light intensity distribution with no intensity waviness in the intermediate portion.
(FR)La présente invention a trait à un appareil de cristallisation comportant une système d'éclairage (2) destiné à l'éclairage d'un masque de déphasage (1), un dispositif optique de formation d'images (3) disposé dans un chemin optique entre le masque de déphasage et un film semi-conducteur (4), dans lequel un faisceau lumineux présente une répartition d'intensité lumineuse d'une configuration de crête inversée dans laquelle l'intensité lumineuse est la moins élevée au niveau d'une portion correspondant à une portion de déphasage est appliqué à un film semi-conducteur en vue de la formation d'un film semi-conducteur cristallisé. Le système d'éclairage comprend une source lumineuse destinée à fournir une lumière présentant des longueurs d'onde sur une gamme de longueurs d'onde prédéterminée. Le dispositif de formation d'images est disposé de sorte que le masque de déphasage soit optiquement conjugué au film semi-conducteur. Le système optique de formation d'images présente une aberration correspondant à une gamme de longueur d'ondes prédéterminée en vue de la formation d'une répartition d'intensité lumineuse à configuration de crête inversée sans ondulation dans la portion intermédiaire.
(JA)位相シフトマスク((1))を照明する照明系((2))と、位相シフトマスクと半導体膜((4))との間の光路中に配置された結像光学系((3))とを備え、位相シフト部に対応する部分において光強度の最も小さい逆ピークパターンの光強度分布を有する光を半導体膜に照射して結晶化半導体膜を生成する結晶化装置。照明系は、所定の波長範囲に亘る光を供給する光源を有する。結像光学系は、位相シフトマスクと半導体膜とを光学的に共役に配置し、中間部において強度のうねりのない逆ピークパターン光強度分布を半導体膜上に形成するために所定の波長範囲に応じた収差を有する。
Designated States: CN, JP, KR, SG, US.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)