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1. (WO2004008447) MULTI-STACK OPTICAL DATA STORAGE MEDIUM AND USE OF SUCH MEDIUM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/008447    International Application No.:    PCT/IB2003/002956
Publication Date: 22.01.2004 International Filing Date: 20.06.2003
IPC:
G11B 7/2403 (2013.01), G11B 7/24038 (2013.01), G11B 7/24067 (2013.01), G11B 7/243 (2013.01), G11B 7/257 (2013.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 5621 BA Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
ZHOU, Guofu [NL/NL]; (NL) (For US Only)
Inventors: ZHOU, Guofu; (NL)
Agent: DEGUELLE, Wilhelmus, H., G.; Philips Intellectual Property & Standards, Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Priority Data:
02077860.1 15.07.2002 EP
Title (EN) MULTI-STACK OPTICAL DATA STORAGE MEDIUM AND USE OF SUCH MEDIUM
(FR) SUPPORT DE STOCKAGE DE DONNEES OPTIQUES A EMPILEMENTS MULTIPLES ET UTILISATION D'UN TEL SUPPORT
Abstract: front page image
(EN)A multi-stack optical data storage medium (20) for rewritable recording using a focused radiation beam (19) entering through an entrance face (16) of the medium (20) during recording is described. The medium (20) comprises a substrate (1) with deposited on a side thereof a first stack (2) L0 comprising a first phase-change type recording layer (6). The first recording stack (2) is present at a position most remote for the entrance face (16). At least one further recording stack (3) Ln, which comprises a further phase-change type recording layer (12), is present closer to the entrance face (16) than the first recording stack (2). A transparent spacer layer (9) is present between the recording stacks (2, 3). The further recording layer (12) is substantially of an alloy defined by the formula GexSbyTez in atomic percentages, where 0 < x < 15, 50 < y < 80, 10 < z < 30 and x + y + z = 100 with a thickness selected from the range of 4 to 12 nm and has at least one transparent crystallization promoting layer (11’, 13’) having a thickness smaller than 5nm in contact with the further recording layer (12). A high optical transmission combined with a low crystallization time of the recording layer (12) of the Ln stack (3) is achieved making the medium (20) suitable for multi-stack high speed recording with a linear recording velocity of at least 12 m/s.
(FR)La présente invention concerne un support de stockage (20) de données optiques à empilements multiples qui permet d'effectuer l'enregistrement réinscriptible au moyen d'un pinceau (19) de rayonnement focalisé qui entre par une face d'entrée (16) du support (20) pendant l'enregistrement. Le support (20) comprend un substrat (1) sur un côté duquel est déposé un premier empilement (2) L0 comprenant une première couche (6) d'enregistrement du type à changement de phase. Le premier empilement (2) d'enregistrement se trouve à un endroit qui est le plus éloigné de la face d'entrée (16). Au moins un autre empilement (3) d'enregistrement Ln, qui comprend une autre couche (12) d'enregistrement du type à changement de phase, se trouve placé plus près de la face d'entrée (16) que le premier empilement (2) d'enregistrement. Une couche (9) d'espacement transparente se trouve entre les empilements (2, 3) d'enregistrement. L'autre couche (12) d'enregistrement est sensiblement constituée d'un alliage défini par la formule GexSbyTez, dans laquelle en pourcentages atomiques, 0 < x < 15, 50 < y < 80, 10 < z < 30 et x + y + z = 100, avec une épaisseur sélectionnée dans la plage comprise entre 4 et 12 nm et qui comprend au moins une couche transparente (11', 13') facilitant la cristallisation dont l'épaisseur est inférieure à 5nm et qui est en contact avec l'autre couche (12) d'enregistrement. On obtient ainsi une transmission optique élevée combinée à un court temps de cristallisation pour la couche (12) d'enregistrement de l'empilement Ln (3), ce qui rend ainsi le support (20) approprié pour l'enregistrement à grande vitesse sur des empilements multiples à une vitesse d'enregistrement linéaire au moins égale à 12 m/s.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)