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1. (WO2004008164) METHOD FOR GENERATING HIGH−CONTRAST IMAGES OF SEMICONDUCTOR SITES VIA ONE−PHOTON OPTICAL BEAMINDUCED CURRENT IMAGING AND CONFOCAL REFLECTANCE MICROSCOPY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/008164    International Application No.:    PCT/PH2002/000013
Publication Date: 22.01.2004 International Filing Date: 09.07.2002
Chapter 2 Demand Filed:    09.02.2004    
IPC:
G01R 31/311 (2006.01), G02B 21/00 (2006.01)
Applicants: SALOMA, Caesar, A. [PH/PH]; (PH).
DARIA, Vincent, Ricardo, M. [PH/PH]; (PH).
MIRANDA, Jelda, Jayne, C. [PH/PH]; (PH)
Inventors: SALOMA, Caesar, A.; (PH).
DARIA, Vincent, Ricardo, M.; (PH).
MIRANDA, Jelda, Jayne, C.; (PH)
Agent: VILLARAZA & ANGANGCO Law Offices And its attorneys; 5th Floor, LTA Building, 118 Perea Street, Legaspi Village, 1229 Makati City (PH)
Priority Data:
Title (EN) METHOD FOR GENERATING HIGH−CONTRAST IMAGES OF SEMICONDUCTOR SITES VIA ONE−PHOTON OPTICAL BEAMINDUCED CURRENT IMAGING AND CONFOCAL REFLECTANCE MICROSCOPY
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'IMAGES A CONTRASTE ELEVE DE SITES SEMI-CONDUCTEURS PAR IMAGERIE DE COURANT INDUIT PAR FLUX OPTIQUE A PHOTON UNIQUE ET PAR MICROSCOPIE CONFOCALE DE REFLECTANCE
Abstract: front page image
(EN)A method is disclosed that permits the generation of exclusive high−contrast images of semiconductor sites in an integrated circuit sample (19). It utilizes the one−photon optical beam−induced current (1P−OBIC) image and confocal reflectance image of the sample that are generated simultaneously from one and the same excitation (probe) light beam that is focused on the sample (19). A 1P−OBIC image is a two−dimensional map of the currents induced by the beam as it is scanned across the circuit surface. 1P−OBIC is produced by an illuminated semiconductor material if the excitation photon energy exceeds the bandgap. The 1P−OBIC image has no vertical resolution because 1P−OBIC is linear with the excitation beam intensity. The exclusive high−contrast image of semiconductor sites is generated by the product of the 1P−OBIC image and the confocal image. High−contrast image of the metal sites are also obtained by the product of the complementary OBIC image and the same confocal image.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant la production d'images exclusives à contraste élevé de sites semi-conducteurs dans un échantillon de circuit intégré (19). Le procédé utilise une image de courant induit de faisceau optique à photon unique (1P-OBIC) et une image confocale de réflectance de l'échantillon produites simultanément par un faisceau, et le même, de rayonnement d'excitation (sonde) focalisé sur l'échantillon (19). Une image 1P-OBIC représente une cartographie bidimensionnelle des courants induits par le faisceau lorsqu'il balaye la surface du circuit. Les courants 1P-OBIC sont produits par un matériau semi-conducteur illuminé si l'énergie d'excitation photonique dépasse l'énergie de bande interdite. L'image 1P-OBIC ne possède pas de résolution verticale car les courants 1P-OBIC sont en relation linéaire avec l'intensité du faisceau d'excitation. L'image exclusive à haut contraste des sites de semi-conducteur résulte du produit de l'image 1P-OBIC et de l'image confocale. Une image à contraste élevé des sites métalliques peut aussi être obtenue par le produit de l'image OBIC complémentaire et de la même image confocale.
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Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)