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1. (WO2004008119) DETECTION METHOD AND APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/008119    International Application No.:    PCT/GB2003/003045
Publication Date: 22.01.2004 International Filing Date: 14.07.2003
Chapter 2 Demand Filed:    12.02.2004    
IPC:
G01N 21/95 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: AOTI OPERATING COMPANY, INC. [US/US]; 131 NW Hawthorne Avenue, Suite 207, Bend, OR 97701 (US) (For All Designated States Except US).
HIGGS, Victor [GB/GB]; (GB) (For US Only)
Inventors: HIGGS, Victor; (GB)
Agent: NOVAGRAAF PATENTS LIMITED; The Crescent, 54 Blossom Street, York YO24 1AP (GB)
Priority Data:
0216622.1 17.07.2002 GB
Title (EN) DETECTION METHOD AND APPARATUS
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE DETECTION
Abstract: front page image
(EN)A method of quality control of structures of semiconductors such as silicon prior to device fabrication thereupon comprises exposing the surface of a semiconductor structure under test to at least one high-intensity beam of light from a suitable light source, preferably a laser, and in particular a high-intensity laser, and collecting photoluminescence (PL) produced by excitation of the semiconductor structure by the light beam; numerically analysing the photoluminescence emitted across the area of the structure; comparing the result with a predetermined acceptable specification range of photoluminescence; making a quality classification of the semiconductor structure based thereon; and in particular rejecting or selecting for remedial action semiconductor structures exhibiting a photoluminescence response outside the said predetermined acceptable specification range. In a preferred embodiment the method is applied as part of a quality control metric prior to device fabrication. In a refinement of the method a spatially resolved PL map is also collected. An apparatus for performing the method is also described.
(FR)L'invention concerne un procédé de contrôle qualité de structures de semi-conducteurs, tel que du silicium, avant fabrication de dispositif, consistant à exposer la surface d'une structure semi-conductrice sous test à au moins un faisceau d'intensité élevée d'un rayonnement lumineux provenant d'une source adéquate, de préférence un laser, et en particulier un laser d'énergie élevée, et à collecter la photoluminescence (PL) produite par excitation de la structure semi-conductrice par le faisceau de rayonnement lumineux, à analyser numériquement la photoluminescence émise à travers la zone de la structure, à comparer les résultat à une plage de spécification acceptable déterminée de photoluminescence, à réaliser un classement qualité de la structure semi-conductrice sur la base du résultat, et en particulier à rejeter ou à sélectionner en vue d'une action palliative les structures semi-conductrices présentant une réponse de photoluminescence en dehors de la plage de spécifications acceptable déterminée. Dans le mode de réalisation préféré, le procédé est appliqué en tant que partie d'une métrique de contrôle qualité avant fabrication de dispositif. Dans un perfectionnement du procédé, on procède aussi à l'obtention d'une carte de photoluminescence à résolution spatiale. L'invention concerne aussi un appareil de mise en oeuvre de ce procédé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)