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1. (WO2004007816) METHOD OF FABRICATING SUBSTRATES, IN PARTICULAR FOR OPTICS, ELECTRONICS OR OPTOELECTRONICS________________________________________
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/007816    International Application No.:    PCT/EP2003/007854
Publication Date: 22.01.2004 International Filing Date: 16.07.2003
IPC:
C30B 33/00 (2006.01)
Applicants: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-38190 Bernin (FR) (For All Designated States Except US).
GHYSELEN, Bruno [FR/FR]; (FR) (For US Only).
LETERTRE, Fabrice [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: GHYSELEN, Bruno; (FR).
LETERTRE, Fabrice; (FR)
Agent: CABINET REGIMBEAU; Espace Performance, Bâtiment K, F-35769 Saint Grégoire Cedex (FR)
Priority Data:
02 09021 17.07.2002 FR
60/461,504 09.04.2003 US
Title (EN) METHOD OF FABRICATING SUBSTRATES, IN PARTICULAR FOR OPTICS, ELECTRONICS OR OPTOELECTRONICS________________________________________
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE SUBSTRATS, EN PARTICULIER POUR L'OPTIQUE, L'ELECTRONIQUE OU L'OPTOELECTRONIQUE
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a method for fabricating substrates (30), in particular for optics, electronics, or optoelectronics, by transferring a layer (170) of a material suitable for said type of application, and in particular a semiconductor material, onto a support (20). Said method is characterized in that it comprises the following steps : a) forming a flat face (13) termed the 'front face' on a raw ingot (10) of material intended to form said layer (170); b) implanting atomic species beneath said front face (13) to a controlled mean implantation depth to create a zone of weakness (16) defining a top layer (17) of said ingot (10 ); c) bonding a support (20) onto said front face (13); d) directly detaching from the ingot (10), at the zone of weakness (16), the portion (170) of said top layer (17) which is bonded to said support (20); and e) re-commencing said cycle of operations from step b) at least once. Said method saves starting material.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de substrats (30), en particulier pour l'optique, l'électronique ou l'optoélectronique, par transfert d'une couche (170) d'un matériau convenant pour ce type d'application, en particulier un matériau semi-conducteur, sur un support (20), procédé caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : a) formation d'une face plane (13) dénommée « face frontale » sur un lingot brut (10) du matériau utilisé pour former ladite couche (170) ; b) implantation d'espèces atomiques sous ladite face frontale (13) à une épaisseur d'implantation moyenne contrôlée, en vue de créer une zone d'affaiblissement (16) définissant une couche supérieure (17) dudit lingot (10) ; c) liaison d'un support (20) sur ladite face frontale (13) ; d) détacher directement du lingot (10), au niveau de la zone d'affaiblissement (16), la portion (170) de ladite couche supérieure (17) qui est liée audit support (20) ; et e) recommencer au moins une fois le cycle d'opérations à partir de l'étape b). Le procédé de l'invention permet d'économiser le matériau de départ.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)