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1. (WO2004007815) SILICON WAFER FOR EPITAXIAL GROWTH, EPITAXIAL WAFER, AND ITS MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/007815    International Application No.:    PCT/JP2003/008671
Publication Date: 22.01.2004 International Filing Date: 08.07.2003
IPC:
C30B 15/00 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP) (For All Designated States Except US).
HOSHI, Ryoji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SONOKAWA, Susumu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: HOSHI, Ryoji; (JP).
SONOKAWA, Susumu; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F, 6-4, Motoasakusa 2-chome, Taito-ku, Tokyo 111-0041 (JP)
Priority Data:
2002-204703 12.07.2002 JP
Title (EN) SILICON WAFER FOR EPITAXIAL GROWTH, EPITAXIAL WAFER, AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) TRANCHE DE SILICIUM POUR CROISSANCE EPITAXIALE, TRANCHE EPITAXIALE, ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) エピタキシャル成長用シリコンウエーハ及びエピタキシャルウエーハ並びにその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A silicon wafer for epitaxial growth manufactured by slicing a silicon single crystal grown in a region where at least the wafer center is in a V region in which void defects occur by doping a wafer with nitrogen by the Chochralski method (CZ method), characterized in that the number of defects having an opening size of 20 nm or less, out of the void defects appearing on the wafer surface, is 0.02 pieces/cm2 or less. An epitaxial wafer characterized in that an epitaxial layer is formed on the silicon wafer for epitaxial growth is also disclosed. The epitaxial wafer having a high gettering performance, few SFs adversely influencing the device characteristics on its epitaxial layer and a high quality can be easily manufactured with high productivity at low cost.
(FR)L'invention concerne une tranche de silicium pour croissance épitaxiale fabriquée par coupe en tranche d'un monocristal de silicium développé dans une zone destinée à cet effet, au moins le centre de la tranche se trouvant à l'intérieur d'une zone en V dont les défauts sous forme de vide résultent du dopage d'une tranche avec de l'azote selon la méthode de Czochralski (méthode CZ). Cette tranche se caractérise en ce que le nombre de défauts présentant une taille d'ouverture inférieure ou égale à 20 nm, outre les défauts sous forme de vide apparaissant sur la surface de la tranche, est inférieur ou égal à 0,02 pièce/cm2. L'invention concerne également une tranche épitaxiale caractérisée en ce qu'une couche épitaxiale est formée sur la tranche de silicium en vue d'une croissance épitaxiale. Etant donné que la tranche épitaxiale présente d'excellentes caractéristiques d'effet getter, la surface de la couche épitaxiale comporte une faible quantité de SF altérant les propriétés du dispositif, ce qui permet d'obtenir une haute qualité avec une productivité élevée et à moindres frais.
(JA)本発明は、エピタキシャル成長用シリコンウエーハであって、チョクラルスキー法(CZ法)により窒素をドープして、少なくともウエーハ中心がボイド型欠陥が発生するV領域となる領域内で育成したシリコン単結晶をスライスして作製したシリコンウエーハであり、ウエーハ表面に現われる前記ボイド型欠陥のうち、開口部サイズが20nm以下である欠陥の個数が0.02個/cm以下であることを特徴とするエピタキシャル成長用シリコンウエーハおよびこのエピタキシャル成長用シリコンウエーハの表面にエピタキシャル層が形成されていることを特徴とするエピタキシャルウエーハである。これにより、高いゲッタリング能力を有し、かつデバイス特性に悪影響を及ぼすSFがエピタキシャル層上に極めて少ない高品質のエピタキシャルウエーハを高生産性かつ低コストで容易に製造することができる。
Designated States: CN, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)