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1. (WO2004007637) HIGHLY BRIGHT MECHANOLUMINESCENCE MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/007637    International Application No.:    PCT/JP2003/008853
Publication Date: 22.01.2004 International Filing Date: 11.07.2003
IPC:
C09K 11/08 (2006.01)
Applicants: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 1-8, Hon-cho 4-chome, Kawaguchi-shi, Saitama 332-0012 (JP) (For All Designated States Except US).
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8921 (JP) (For All Designated States Except US).
XU, Chao-Nan [CN/JP]; (JP) (For US Only).
AKIYAMA, Morito [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHI, Wensheng [CN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: XU, Chao-Nan; (JP).
AKIYAMA, Morito; (JP).
SHI, Wensheng; (US)
Agent: AGATA, Akira; Agata Patent Office, 3rd Floor, Ikenden Building, 12-5, Shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0004 (JP)
Priority Data:
2002-203781 12.07.2002 JP
Title (EN) HIGHLY BRIGHT MECHANOLUMINESCENCE MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) MATIERE A MECANOLUMINESCENCE A FORTE LUMINOSITE ET PROCEDE DE PRODUCTION CORRESPONDANT
(JA) 高輝度メカノルミネッセンス材料及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A novel highly bright mechanoluminescence material free from decay of luminescence brightness even if repeated stress is applied, comprising a composite semiconductor crystal of the general formula xM1A1.(1-x)M2A2 (wherein each of M1 and M2 independently represents an atom selected from among Zn, Mn, Cd, Cu, Eu, Fe, Co, Ni, Mg and Ca, and each of A1 and A2 is an atom independently selected from among chalcogens, provided that M1A1 is different from M2A2; and x is a positive number less than 1); and a process for producing the same.
(FR)La présente invention concerne une nouvelle matière à mécanoluminescence à forte luminosité dont la luminosité de la luminescence ne peut décroître même si des contraintes répétées lui sont appliquées, cette nouvelle matière comprenant un cristal semi-conducteur composite représenté par la formule xM1A1.(1-x)M2A2 dans laquelle M1 et M2 représentent chacun indépendamment un atome sélectionné parmi Zn, Mn, Cd, Cu, Eu, Fe, Co, Ni, Mg et Ca, A1 et A2 représentant chacun un atome indépendamment sélectionné parmi les chalcogènes, à condition que M1A1 soit différent de M2A2 ; et x représente un nombre positif inférieur à 1. Cette invention concerne également un procédé de production de cette nouvelle matière.
(JA)高い輝度を有し、かつ繰り返し応力を印加しても発光輝度の減衰がない新規なメカノルミネッセンス材料として、一般式xM11・(1−x)M22(M1及びM2は、それぞれ独立に、Zn、Mn、Cd、Cu、Eu、Fe、Co、Ni、Mg及びCaの中から選ばれる原子、A1及びA2はカルコーゲンの中からそれぞれ独立に選ばれる原子、M11とM22とは異なったもの、xは1よりも小さい正数)で表される複合半導体結晶からなる高輝度メカノルミネッセンス材料及びその製造方法を提供する。
Designated States: CN, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)