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1. (WO2004006330) METHOD AND APPARATUS USING NANOTUBES FOR COOLING AND GROUNDING DIE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/006330    International Application No.:    PCT/US2003/020889
Publication Date: 15.01.2004 International Filing Date: 02.07.2003
Chapter 2 Demand Filed:    30.01.2004    
IPC:
H01L 23/433 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventors: SEARLS, Damion; (US).
DISHONGH, Terrance; (US).
JACKSON, James; (US)
Agent: STEFFEY, Charles, E.; Schwegman, Lundberg, Woessner & Kluth, P.A., P.O. Box 2938, Minneapolis, MN 55402 (US)
Priority Data:
10/187,513 02.07.2002 US
Title (EN) METHOD AND APPARATUS USING NANOTUBES FOR COOLING AND GROUNDING DIE
(FR) PROCEDE ET APPAREIL UTILISANT DES NANOTUBES POUR REFROIDISSEMENT ET MISE A LA TERRE DE PUCE
Abstract: front page image
(EN)An embodiment of the present invention described and shown in the specification and drawings is a process and a package for facilitating cooling and grounding for a semiconductor die using carbon nanotubes in a thermal interface layer between the die and a thermal management aid. The embodiments that are disclosed have the carbon nanotubes positioned and sized to utilize their high thermal and electrical conductance to facilitate the flow of heat and current to the thermal management aid. One embodiment disclosed has the carbon nanotubes mixed with a paste matrix before being applied. Another disclosed embodiment has the carbon nanotubes grown on the surface of the semiconductor die.
(FR)Dans un mode de réalisation, décrit et présenté dans la description et les dessins, l'invention concerne un procédé et un boîtier facilitant le refroidissement et la mise à la terre d'une puce semi-conductrice au moyen de nanotubes de carbone dans une couche d'interface thermique disposée entre la matrice et un dispositif d'aide de gestion thermique. Les modes de réalisation présentés comprennent les nanotubes de carbone positionnés et taillés afin d'utiliser leurs conductances électrique et thermique élevées afin de faciliter l'écoulement de la chaleur et du courant vers le dispositif d'aide de gestion thermique. Dans un mode de réalisation, les nanotubes de carbone sont mélangés à une matrice en pâte avant d'être appliqués. Dans un autre mode de réalisation, les nanotubes de carbone sont développés sur la surface de la puce semi-conductrice.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)