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1. (WO2004006306) METHOD FOR CONTROLLING THE EXTENT OF NOTCH OR UNDERCUT IN AN ETCHED PROFILE USING OPTICAL REFLECTOMETRY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/006306    International Application No.:    PCT/US2003/018476
Publication Date: 15.01.2004 International Filing Date: 12.06.2003
IPC:
H01L 21/00 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventors: JONES, Steven, J.; (US).
DESHMUKH, Shashank, C.; (US).
DAVIS, Matthew, F.; (US).
LIAN, Lei; (US).
YANG, Chan-Syun; (US)
Agent: PATTERSON, B., Todd; Moser, Patterson & Sheridan, L.L.P., 3040 Post Oak Boulevard, Suite 1500, Houston, TX 77056 (US)
Priority Data:
60/393,154 02.07.2002 US
10/374,464 24.02.2003 US
Title (EN) METHOD FOR CONTROLLING THE EXTENT OF NOTCH OR UNDERCUT IN AN ETCHED PROFILE USING OPTICAL REFLECTOMETRY
(FR) PROCEDE DE CONTROLE DE L'ETENDUE D'UNE ENCOCHE OU D'UNE ENTAILLE DANS UN PROFILE GRAVE, PAR REFLECTOMETRIE OPTIQUE
Abstract: front page image
(EN)A method and apparatus for controlling lateral etching during an etching process. The method and apparatus includes laterally etching a lower layer of a stack of layers in a processing chamber, where an endpoint detection system radiates a spectrum of light over the lower layer being etched and an area over the stack of layers proximate to the lower layer being etched. The intensity of light reflected from at least one of the stacked layers positioned lateral to the lower layer being etched is then measured. An endpoint detection system terminates the etching process upon measuring a predetermined metric associated with the intensity of reflected light from the at least one of the stacked layers.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil permettant de contrôler la gravure latérale durant un processus d'attaque, procédé consistant à attaquer latéralement une couche inférieure d'une pile de couches, dans une chambre de traitement dans laquelle il est prévu un système de détection au point terminal, rayonnant un spectre lumineux sur la couche inférieure gravée et une zone sur la pile de couches à proximité de la couche inférieure gravée. On mesure alors l'intensité de la lumière réfléchie par au moins l'une des couches empilées, positionnées latéralement par rapport à la couche inférieure gravée. Un système de détection au point terminal permet de terminer le processus d'attaque par mesure d'une métrique prédéterminée, associée à l'intensité de la lumière réfléchie par au moins l'une des couches empilées.
Designated States: CN, JP, KR, SG.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)