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1. (WO2004006303) METHOD FOR FABRICATING AN ULTRA SHALLOW JUNCTION OF A FIELD EFFECT TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/006303    International Application No.:    PCT/US2003/021370
Publication Date: 15.01.2004 International Filing Date: 01.07.2003
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventors: LIU, Wei; (US).
MUI, David, S., L.; (US).
SCUDDER, Lance, A.; (US).
COMITA, Paul, B.; (US).
SAMOILOV, Arkadii, V.; (US).
ADIBI, Babak; (US)
Agent: PATTERSON, B., Todd; Moser, Patterson & Sheridan, L.L.P., Suite 1500, 3040 Post Oak Boulevard, Houston, TX 77056 (US)
Priority Data:
60/393,393 02.07.2002 US
Title (EN) METHOD FOR FABRICATING AN ULTRA SHALLOW JUNCTION OF A FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE JONCTION TRES PEU PROFONDE D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
Abstract: front page image
(EN)A method of fabricating an ultra shallow junction of a field effect transistor is provided. The method includes the steps of etching a substrate near a gate structure to define a source region and a drain region of the transistor, forming a spacer/protective film having poor step coverage to protect frontal surfaces of the source and drain regions, laterally etching sidewalls of the regions beneath a gate dielectric to define a channel region, and removing the protective film.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une jonction très peu profonde d'un transistor à effet de champ. Le procédé consiste à graver un substrat près d'une structure de grille pour définir une zone source et une zone drain du transistor, à former un film de séparation/protecteur à faible portée pour protéger les surfaces frontales des zones source et drain, à graver latéralement les parois latérales des zones en dessous d'un diélectrique de grille pour définir une zone de canal, et à retirer le film protecteur.
Designated States: CN, JP, KR, SG.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)