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1. (WO2004006300) ORGANIC CONTACT-ENHANCING LAYER FOR ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/006300    International Application No.:    PCT/US2003/020267
Publication Date: 15.01.2004 International Filing Date: 26.06.2003
IPC:
H01L 51/40 (2006.01)
Applicants: MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road, Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventors: ZHANG, Jie; (US).
BRAZIS, Paul; (US).
GAMOTA, Daniel; (US).
KALYANASUNDARAM, Krishna; (US).
SCHEIFERS, Steven; (US).
WIELGUS, Jerzy; (US).
CHOWDHURI, Abhijit, Roy; (US)
Agent: NICHOLS, Daniel, K.; Motorola, Inc., 1303 East Algonquin Road, Schaumburg, IL 60196 (US)
Priority Data:
10/187,516 02.07.2002 US
Title (EN) ORGANIC CONTACT-ENHANCING LAYER FOR ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTORS
(FR) COUCHE ORGANIQUE AMELIORANT LE CONTACT POUR TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP (TEC) ORGANIQUE
Abstract: front page image
(EN)An organic field effect transistor utilizes a bifunctional contact-enhancing agent at various interfaces to improve carrier mobility through the organic semiconductor layer, to improve carrier injection, and to enhance adhesion via a bifunctional mechanism. The contact-enhancing agent can be situated between the gate electrode (2) and the dielectric layer (3) to form a chemical or physical bond between the gate electrode and the dielectric layer. It can also be situated between the dielectric layer and the organic semiconducting layer (4), or between the source and drain electrodes (5, 6) and the organic semiconducting layer.
(FR)L'invention concerne un TEC organique dans lequel on utilise à diverses interfaces un agent bifonctionnel améliorant le contact pour améliorer la mobilité de porteur de charge à travers la couche de semiconducteur organique, ce qui permet d'améliorer l'injection de porteur de charge et l'adhésion via un mécanisme bifonctionnel. Ledit agent peut être implanté entre l'électrode de grille (2) et la couche diélectrique (3), pour former une liaison chimique ou physique entre cette électrode et cette couche. On peut aussi l'implanter entre la couche diélectrique et la couche de semiconducteur organique (4), ou entre les électrodes de source et de drain (5, 6) et la couche de semiconducteur organique
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)