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1. (WO2004005591) PROCESS FOR PRODUCING A SILICON MELT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/005591    International Application No.:    PCT/US2002/033695
Publication Date: 15.01.2004 International Filing Date: 22.10.2002
Chapter 2 Demand Filed:    13.05.2003    
IPC:
C30B 15/00 (2006.01), C30B 15/02 (2006.01)
Applicants: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 8, 501 Pearl Drive, St. Peters, MO 63376 (US)
Inventors: HOLDER, John, D.; (US)
Agent: ALLEN, Derick, E.; One Metropolitan Square, Suite 1600, St. Louis, MO 63102 (US)
Priority Data:
10/036,875 23.10.2001 US
Title (EN) PROCESS FOR PRODUCING A SILICON MELT
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN BAIN FONDU DE SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)A process for controlling the amount of insoluble gas trapped by a silicon melt is disclosed. Polycrystalline silicon is charged to a crucible in a crystal pulling apparatus and the apparatus sealed and evacuated. After evacuation, the crystal pulling apparatus is backfilled at least once with a gas having a high solubility in silicon, such as nitrogen. The highly soluble gas fills in cavities between the polycrystalline silicon pieces and between the pieces and the crucible such that when the silicon is melted and bubbles form in the molten silicon the bubbles will solubilize into the melt instead of becoming entrapped in the growing crystal.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de contrôler la quantité de gaz insolubles piégés dans un bain fondu de silicium. Du silicium polycristallisé est chargé dans un creuset placé dans un appareil de tirage vertical en bain fondu, et l'appareil est scellé et amené sous vide. Après avoir fait le vide, l'appareil est rechargé au moins une fois par un gaz, tel que l'azote, à haute solubilité dans le silicium. Le gaz hautement soluble remplit les cavités existant entre les morceaux de silicium polycristallisés, et entre les morceaux et le creuset, de telle sorte que lorsque le silicium est fondu et que des bulles se forment dans le silicium fondu, les bulles se solubilisent dans le bain fondu au lieu d'être piégées dans le cristal de tirage.
Designated States: CN, JP, KR, SG.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)