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1. (WO2004003996) METHOD OF PRODUCING AN SOI WAFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/003996    International Application No.:    PCT/US2003/013809
Publication Date: 08.01.2004 International Filing Date: 02.05.2003
Chapter 2 Demand Filed:    16.01.2004    
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/321 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Applicants: SEH AMERICA, INC. [US/US]; 4111 N.E. 112th Avenue, Vancouver, WA 98682-6776 (US) (For All Designated States Except US).
KOVESHNIKOV, Sergei, V. [RU/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KOVESHNIKOV, Sergei, V.; (US)
Agent: GOSNELL, Guy, R.; Alston & Bird LLP, Bank of America Plaza, 101 South Tryon Street, Suite 4000, Charlotte, NC 28280-4000 (US)
Priority Data:
10/186,942 28.06.2002 US
Title (EN) METHOD OF PRODUCING AN SOI WAFER
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE PLAQUETTE SILICIUM SUR ISOLANT (SOI)
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor wafer manufacturing is disclosed wherein an SOI wafer is produced by annealing a polysilicon layer deposited on a substrate wafer in an oxygen-containing ambient, and annealing the wafer at high temperatures to form an oxide layer at the interface of the substrate wafer and polysilicon layer. During the high temperature anneal, the polycrystalline silicon layer also recrystallizes to a monocrystalline state, and replicates the lattice structure of the substrate wafer.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'une plaquette en semi-conducteur, consistant à produire une plaquette silicium sur isolant (SOI), par recuisson d'une couche de polysilicium déposée sur une plaquette-substrat sous une atmosphère contenant de l'oxygène et par recuisson de ladite plaquette à des températures élevées pour former une couche d'oxyde au niveau de l'interface entre la plaquette-substrat et la couche de polysilicium. Lors du processus de recuisson à des températures élevées, la couche de silicium polycristallin se recristallise également pour passer à l'état monocristallin et reproduit la structure en treillis de la plaquette-substrat.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)