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1. (WO2004003989) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/003989    International Application No.:    PCT/JP2003/008146
Publication Date: 08.01.2004 International Filing Date: 26.06.2003
IPC:
H01L 21/04 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01)
Applicants: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8921 (JP) (For All Designated States Except US).
FUKUDA, Kenji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SENZAKI, Junji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: FUKUDA, Kenji; (JP).
SENZAKI, Junji; (JP)
Agent: FUKUDA, Kenzo; Kashiwaya Bldg. 2F, 6-13, Nishishinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0003 (JP)
Priority Data:
2002-189161 28.06.2002 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device using a silicon carbide substrate having a (000-1) face and a method for manufacturing the same. By optimizing a heat treatment method after gate is oxidized, an SiC semiconductor device having a high breakdown voltage and a high channel mobility is manufactured. A method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of forming a gate insulating film on a semiconductor region, forming a gate electrode on the gate insulating film, and forming an electrode on the semiconductor region. The semiconductor region is a semiconductor region made of a silicon carbide having a (000-1) face. Further included are a step of cleaning the surface of the semiconductor region and a step of forming the gate insulating film in an atmosphere containing more than 1% H2O (water) vapor at a temperature ranging from 800°C to 1150°C, thereby reducing the interface state density of the interface between the gate insulating film and the semiconductor region.
(FR)La présente invention concerne, d'une part un dispositif à semi-conducteur utilisant un substrat comportant une surface de type 000-1, et d'autre part un procédé de fabrication correspondant. L'optimisation du procédé de traitement thermique après oxydation de la grille, permet la fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs SiC présentant une tension de claquage élevée et une mobilité élevée du canal. Pour fabriquer le dispositif à semi-conducteurs, on commence par former un film isolant la grille sur une région semi-conductrice, puis on forme une électrode de grille sur le film isolant la grille, et on forme une électrode sur la région semi-conductrice. La région semi-conductrice est une région semi-conductrice faite de carbure de silicium présentant une surface de type 000-1. Le procédé comporte également une opération de nettoyage de la surface de la région semi-conductrice et une opération de réalisation d'un film isolant la grille dans une atmosphère contenant plus de 1 % de vapeur d'eau (H2O) à une température comprise entre 80 °C et 1150 °C. Il en résulte une réduction de la densité des états d'interface de l'interface entre le film isolant la grille et la région semi-conductrice.
(JA)(000-1)面の炭化珪素基板を用いた半導体装置及びその製造方法であって、ゲート酸化後の熱処理方法を最適化することによって、高耐圧で高チャネル移動度を有するSiC半導体装置を製造する。ゲート絶縁膜の形成方法に関して、半導体領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、そのゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、上記の半導体領域に電極を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法において、半導体領域は、(000-1)面の炭化珪素からなる領域が形成された半導体領域であり、さらに、該半導体領域の表面を清浄にする工程と、800℃から1150℃の温度範囲において、H2O(水)ガスを1%以上含んだ雰囲気でゲート絶縁膜を形成することにより、ゲート絶縁膜と上記の半導体領域の界面の界面準位密度を低減せしめる工程とを含むような工程とすることによって製造できる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)