WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Machine translation
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/003989    International Application No.:    PCT/JP2003/008146
Publication Date: 08.01.2004 International Filing Date: 26.06.2003
H01L 21/04 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01)
Applicants: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8921 (JP) (For All Designated States Except US).
FUKUDA, Kenji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SENZAKI, Junji [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: FUKUDA, Kenji; (JP).
SENZAKI, Junji; (JP)
Agent: FUKUDA, Kenzo; Kashiwaya Bldg. 2F, 6-13, Nishishinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0003 (JP)
Priority Data:
2002-189161 28.06.2002 JP
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device using a silicon carbide substrate having a (000-1) face and a method for manufacturing the same. By optimizing a heat treatment method after gate is oxidized, an SiC semiconductor device having a high breakdown voltage and a high channel mobility is manufactured. A method for manufacturing the semiconductor device includes the steps of forming a gate insulating film on a semiconductor region, forming a gate electrode on the gate insulating film, and forming an electrode on the semiconductor region. The semiconductor region is a semiconductor region made of a silicon carbide having a (000-1) face. Further included are a step of cleaning the surface of the semiconductor region and a step of forming the gate insulating film in an atmosphere containing more than 1% H2O (water) vapor at a temperature ranging from 800°C to 1150°C, thereby reducing the interface state density of the interface between the gate insulating film and the semiconductor region.
(FR)La présente invention concerne, d'une part un dispositif à semi-conducteur utilisant un substrat comportant une surface de type 000-1, et d'autre part un procédé de fabrication correspondant. L'optimisation du procédé de traitement thermique après oxydation de la grille, permet la fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs SiC présentant une tension de claquage élevée et une mobilité élevée du canal. Pour fabriquer le dispositif à semi-conducteurs, on commence par former un film isolant la grille sur une région semi-conductrice, puis on forme une électrode de grille sur le film isolant la grille, et on forme une électrode sur la région semi-conductrice. La région semi-conductrice est une région semi-conductrice faite de carbure de silicium présentant une surface de type 000-1. Le procédé comporte également une opération de nettoyage de la surface de la région semi-conductrice et une opération de réalisation d'un film isolant la grille dans une atmosphère contenant plus de 1 % de vapeur d'eau (H2O) à une température comprise entre 80 °C et 1150 °C. Il en résulte une réduction de la densité des états d'interface de l'interface entre le film isolant la grille et la région semi-conductrice.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)