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1. (WO2004003985) MASK AND PRODUCTION METHOD THEREFOR AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/003985    International Application No.:    PCT/JP2003/007377
Publication Date: 08.01.2004 International Filing Date: 10.06.2003
IPC:
H01L 21/265 (2006.01)
Applicants: SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (For All Designated States Except US).
KOIKE, Kaoru [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KOIKE, Kaoru; (JP)
Agent: SATOH, Takahisa; Sohshin International Patent Office, 4F, Miyaki Bldg., 4-2, Yanagibashi 2-chome, Taito-ku, Tokyo 111-0052 (JP)
Priority Data:
2002-186232 26.06.2002 JP
Title (EN) MASK AND PRODUCTION METHOD THEREFOR AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) MASQUE ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT ET PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR
(JA) マスクおよびその製造方法並びに半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A high-durability mask having a sufficient strength to survive ion implantation and a production method therefore, and a production method for a semiconductor device using such a mask. A mask comprising a thin film, a protection film formed on the part of the thin film and preferably consisting of photosensitive resin, a support frame formed on the thin film so as to surround the protection film, and holes formed in the thin film and the protection film to allow a charged particle beam or an electromagnetic wave incident to a protection-film side to pass therethough and a production method therefore, and a production method for a semiconductor device including an ion implanting step using it.
(FR)L'invention concerne un masque extrêmement durable qui est suffisamment résistant pour supporter l'implantation ionique, ainsi que le procédé de fabrication de ce masque et le procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur comportant ce masque. Ce masque est recouvert d'une couche mince. Une couche de protection formée sur la couche mince est préférablement constituée de résine photosensible. Un cadre de support est formé sur la couche mince de façon à entourer la couche de protection. Des trous sont pratiqués sur la couche mince ainsi que sur la couche de protection pour permettre le passage d'un faisceau de particules chargées ou d'une onde électromagnétique dirigée sur le côté de la couche de protection. L'invention concerne en outre des procédés de fabrication de ces éléments ainsi qu'un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur intégrant une opération d'implantation ionique.
(JA) イオン注入に十分な強度を持つ耐久性の高いマスクおよびその製造方法と、そのようなマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供する。薄膜と、薄膜上の一部に形成された、好適には感光性樹脂からなる保護膜と、薄膜上に保護膜を囲むように形成された支持枠と、薄膜および保護膜に形成された孔であって、保護膜側に入射する荷電粒子線または電磁波を透過させる孔とを有するマスクおよびその製造方法と、それを用いたイオン注入工程を含む半導体装置の製造方法。
Designated States: JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)