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1. (WO2004003979) METHOD FOR THE PRODUCTION OF A NROM MEMORY CELL FIELD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/003979    International Application No.:    PCT/DE2003/001965
Publication Date: 08.01.2004 International Filing Date: 12.06.2003
Chapter 2 Demand Filed:    28.01.2004    
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
INFINEON TECHNOLOGIES FLASH GMBH & CO. KG [DE/DE]; Königsbrücker Strasse 180, 01099 Dresden (DE) (For All Designated States Except US).
DEPPE, Joachim [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KLEINT, Christoph [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LUDWIG, Christoph [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WILLER, Josef [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: DEPPE, Joachim; (DE).
KLEINT, Christoph; (DE).
LUDWIG, Christoph; (DE).
WILLER, Josef; (DE)
Agent: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; P.O. Box 200734, 80007 Munich (DE)
Priority Data:
102 29 065.2 28.06.2002 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES NROM-SPEICHERZELLENFELDES
(EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF A NROM MEMORY CELL FIELD
(FR) PROCEDE POUR PRODUIRE UN CHAMP DE CELLULE MEMOIRE NROM
Abstract: front page image
(DE)Bei dem Verfahren werden Gräben geätzt und dazwischen jeweils Bitleitungen (8) auf dotierten Source-/Drain-Bereichen (3, 4) angeordnet. An den Grabenwänden werden Speicherschichten (5, 6, 7) aufgebracht und Gate-Elektroden (2) angeordnet. Nach dem Einbringen von Polysilizium, das für die Gate-Elektroden (2) vorgesehen ist, in die Gräben wird die Oberseite planarisierend rückgeschliffen, bis die Oberseite der Abdeckschicht (16) erreicht ist, und danach wird ganzflächig eine Polysiliziumschicht (18), die für die Wortleitungen vorgesehen ist, aufgebracht und zu den Wortleitungen strukturiert.
(EN)According to the method, trenches are etched and bitlines (8) arranged therebetween on doped source/drain regions (3, 4). Memory layers (5, 6, 7) are applied to the trench walls and gate electrodes (2) arranged thereon. After the introduction of polysilicon, provided in the trenches for the gate electrodes (2), the upper surface is subject to a levelling back-cut until the upper surface of the cover layer (16) is reached and then a polysilicon layer (18) is applied to the whole surface for the wordlines and structured to give the wordlines.
(FR)La présente invention concerne un procédé dans lequel des tranchées sont gravées et des lignes de bits (8) respectives sont disposées entre celles-ci sur des zones source/drain dopées (3, 4). Contre les parois des tranchées sont appliquées des couches mémoire (5, 6, 7) et disposées des électrodes de porte (2). Après mise en place de polysilicium destiné aux électrodes de porte (2) dans les tranchées, le côté supérieur est poli de façon plane jusqu'à ce que le côté supérieur atteigne la couche de recouvrement (16), puis une couche de polysilicium (18) destinée aux lignes de mots est appliquée sur toute la surface et structurée pour constituer les lignes de mots.
Designated States: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)