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1. (WO2004003972) TRANSISTOR AND SENSORS MADE FROM MOLECULAR MATERIALS WITH ELECTRIC DIPOLES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/003972    International Application No.:    PCT/US2003/020068
Publication Date: 08.01.2004 International Filing Date: 26.06.2003
Chapter 2 Demand Filed:    27.01.2004    
IPC:
H01L 51/30 (2006.01)
Applicants: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 20555 S.H. 249, Houston, TX 77070 (US)
Inventors: CHEN, Yong; (US).
BRATKOVSKI, Alexandre, M.; (US).
WILLIAMS, R., Stanley; (US)
Agent: LEE, Denise, A.; Hewlett-Packard Company, Intellectual Property Administration, P.O. Box 272400, Fort Collins, CO 80527-2400 (US)
Priority Data:
10/187,721 01.07.2002 US
Title (EN) TRANSISTOR AND SENSORS MADE FROM MOLECULAR MATERIALS WITH ELECTRIC DIPOLES
(FR) TRANSISTOR ET DETECTEURS FABRIQUES DANS DES MATERIAUX MOLECULAIRES A DIPOLES ELECTRIQUES
Abstract: front page image
(EN)A polarization-dependent device is provided that includes organic materials having electric dipoles. The polarization-dependent device comprises: (a) a source region and a drain region separated by a channel region having a length L, formed on a substrate: (b) a dielectric layer on a least a portion of the channel region; and (c) a molecular layer on the dielectric layer, the molecular layer comprising molecules having a switchable dipolar moiety. Addition of a gate over the molecular layer permits fabrication of a transistor, while omission of the gate, and utilization of suitable molecules that are sensitive to various changes in the environment permits fabrication of a variety of sensors. The molecular transistor and sensors are suitable for high density nanoscale circuits and are less expensive than prior art approaches.
(FR)L'invention porte sur un dispositif soumis à la polarisation qui comprend des matériaux organiques à dipôles électriques. Ce dispositif comprend: (a) une région source et une région drain séparées par une région canal de longueur L, formée sur un substrat: (b) une couche de diélectrique ménagée sur au moins une partie de la région canal et (c) une couche moléculaire ménagée sur la couche de diélectrique, cette couche moléculaire comprenant des molécules ayant une fraction dipolaire commutable. L'addition d'une grille sur la couche moléculaire permet la fabrication d'un transistor, alors que l'absence de grille et l'utilisation de molécules appropriées sensibles aux différents changements de l'environnement permettent la fabrication d'une variété de détecteurs. Le transistor moléculaire et les détecteurs sont appropriés pour des circuits à échelle nanométrique de haute densité et sont moins onéreux que ceux de la technique antérieure.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)