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1. (WO2004003922) CIRCUIT AND METHOD OF WRITING A TOGGLE MEMORY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/003922    International Application No.:    PCT/US2003/013179
Publication Date: 08.01.2004 International Filing Date: 29.04.2003
IPC:
G11C 11/15 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01)
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US)
Inventors: NAHAS, Joseph, J.; (US).
ANDRE, Thomas, W.; (US).
SUBRAMANIAN, Chitra, K.; (US).
GARNI, Bradley, J.; (US)
Agent: CLINGAN, James, E.; Freescale Semiconductor, Inc., 7700 West Parmer Lane, MD: TX32/PL02, Austin, TX 78729-8084 (US)
Priority Data:
10/186,141 28.06.2002 US
Title (EN) CIRCUIT AND METHOD OF WRITING A TOGGLE MEMORY
(FR) CIRCUIT ET PROCEDE D'ECRITURE DANS UNE MEMOIRE A BASCULE
Abstract: front page image
(EN)Circuit and method of writing a toggle memory (112), in particular an MRAM, according to which a toggle write operation is conditionally aborted in response to data read from the memory (112) so that the memory state is toggled only in case the new data to be written differs from that already contained in the memory (112).
(FR)L'invention concerne un circuit et un procédé d'écriture dans une mémoire à bascule (112), en particulier, une mémoire vive magnétique (MRAM). Dans cette mémoire, une opération d'écriture bascule est conditionnellement abandonnée en réponse à une lecture de données à partir de ladite mémoire (112) de sorte que l'état de la mémoire est basculé uniquement lorsque les nouvelles données à écrire sont différentes de celles déjà contenues dans la mémoire (112).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)