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1. (WO2004003763) HIGH SPEED DIFFERENTIAL PRE-DRIVER USING COMMON MODE PRE-CHARGE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/003763    International Application No.:    PCT/US2003/017157
Publication Date: 08.01.2004 International Filing Date: 29.05.2003
Chapter 2 Demand Filed:    30.12.2003    
IPC:
G06F 13/40 (2006.01), H01L 29/80 (2006.01), H03K 5/153 (2006.01), H03K 5/22 (2006.01), H03K 19/096 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; (a Delaware Corporation), 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US)
Inventors: SWARTZ, Ronald; (US).
HO, Yoon San; (MY)
Agent: MALLIE, Michael, J.; Blakely Sokoloff Taylor & Zafman, 12400 Wilshire Boulevard, Los Angeles, CA 90025 (US)
Priority Data:
10/186,638 28.06.2002 US
Title (EN) HIGH SPEED DIFFERENTIAL PRE-DRIVER USING COMMON MODE PRE-CHARGE
(FR) PEEEXCITATEUR DIFFERENTIEL A GRANDE VITESSE UTILISANT UNE PRECHARGE EN MODE COMMUN
Abstract: front page image
(EN)In general, the embodiments introduce a pre-charge state between an idle state (when no data in being transmitted) and an active state (when data is being transmitted). In the pre-charge state, both differential signals are pre-charged to the common mode voltage, which is also the crossover voltage. Similarly, an additional pre-charge state is inserted between the active state and the idle state when the signals transition from active to idle. Because both signals for each bit, including the first and last bits, are being driven from the same voltage level, the quality of the first and last bits are improved to be similar in quality to the middle bits.
(FR)L'invention porte, en général, sur des modes de réalisation qui introduisent un état de précharge entre un état de repos (dans lequel aucune donnée n'est transmise) et un état actif (dans lequel des données sont transmises). Dans cet état de précharge, les deux signaux différentiels sont préchargés à la tension de mode commun, qui est également la tension de raccordement. De même, un état de précharge supplémentaire est inséré entre l'état actif et l'état de repos lorsque les signaux passent de l'état actif à l'état de repos. Puisque les deux signaux pour chaque bit, y compris le premier et le dernier bits, sont entraînés à partir du même niveau de tension, la qualité du premier et du dernier bits est améliorée de façon à atteindre le niveau de qualité des bits intermédiaires.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)