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1. (WO2004003620) REDUCED FORMATION OF ASPERITIES IN CONTACT MICRO-STRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/003620    International Application No.:    PCT/US2003/015213
Publication Date: 08.01.2004 International Filing Date: 14.05.2003
IPC:
G02B 26/08 (2006.01)
Applicants: SILICON LIGHT MACHINES CORPORATION [US/US]; Suite 115, 385 Moffett Park Drive, Sunnyvale, CA 94089 (US)
Inventors: HUNTER, James, A.; (US).
STAKER, Bryan; (US)
Agent: BENEDICTO, Patrick, D.; Okamoto & Benedicto, LLP, 1737 North First Street, Suite 270, San Jose, CA 95112 (US)
Priority Data:
10/187,159 28.06.2002 US
Title (EN) REDUCED FORMATION OF ASPERITIES IN CONTACT MICRO-STRUCTURES
(FR) FORMATION D'ASPERITES REDUITE DANS DES MICROSTRUCTURES DE CONTACT
Abstract: front page image
(EN)The device comprising movable micro-structures (802) configured to contact a substrate (801) is disclosed. The substrate (801) has a metal-insulator-metal construction with a upper metal layer and an insulator being patterned to provide substrate (801) contact regions to a lower metal layer. The micro-structures (802) have metal under layers for providing ribbon contact regions (809). In use, a bias voltage is applied across the micro-structures (802) and the top metal layer (825) causing the micro-structures and the substrate to contact through the contact regions. During contact, the contact regions are maintained at a potential that is substantially less than the applied bias voltage, thereby reducing the formation of asperities structures in an optical MEM device configured to modulate light.
(FR)L'invention concerne un dispositif comprenant des microstructures mobiles (802) qui sont configurées pour entrer en contact avec un substrat (801). Ce substrat (801) présente une structure métal-isolant-métal comprenant une couche métallique supérieure ainsi qu'un isolant pourvu de motifs qui constituent des régions de contact avec une couche métallique inférieure. Ces microstructures (802) comporte des sous-couches métalliques qui forment des zones de contact rubanées (809). Lorsque le dispositif selon l'invention est utilisé, une tension de polarisation est appliquée à travers les microstructures (802) et la couche métallique supérieure (825), ce qui entraîne l'entrée en contact des microstructures et du substrat par l'intermédiaire des zones de contact. Lorsqu'elles sont en contact, lesdites zones de contact sont maintenues à un potentiel qui est sensiblement inférieur à la tension de polarisation appliquée, ce qui permet de réduire la formation de structures de type aspérités dans un dispositif microélectromécanique (MEM) optique configuré pour moduler la lumière.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)