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1. (WO2004003469) PATTERN DETECTOR AND ITS USING METHOD, MEASURING METHOD AND APPARATUS, POSITION MEASURING METHOD, EXPOSING METHOD AND DEVICE, AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/003469    International Application No.:    PCT/JP2003/008086
Publication Date: 08.01.2004 International Filing Date: 26.06.2003
Chapter 2 Demand Filed:    27.01.2004    
IPC:
G03F 7/20 (2006.01), G03F 9/00 (2006.01)
Applicants: NIKON CORPORATION [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8331 (JP) (For All Designated States Except US).
KANAYA, Yuho [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KANAYA, Yuho; (JP)
Agent: TATEISHI, Atsuji; TATEISHI & CO., Paseo Building 5th floor, 4-20, Haramachida 5-chome, Machida-shi, Tokyo 194-0013 (JP)
Priority Data:
2002-190275 28.06.2002 JP
Title (EN) PATTERN DETECTOR AND ITS USING METHOD, MEASURING METHOD AND APPARATUS, POSITION MEASURING METHOD, EXPOSING METHOD AND DEVICE, AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE
(FR) DETECTEUR DE MOTIF ET SON PROCEDE D'UTILISATION, PROCEDE ET APPAREIL DE MESURE, PROCEDE DE MESURE DE POSITION, DISPOSITIF ET PROCEDE D'EXPOSITION ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF
(JA) パターン検出装置及びその使用方法、計測方法及び装置、位置計測方法、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
Abstract: front page image
(EN)Under a first state where the positional relation between a wafer W and an alignment sensor (14) is in a specified state, a main controller (20) irradiates an area in the vicinity of an alignment mark on the wafer W with a first imaging light flux, and detects the XY positional information of the mark after adjusting the Z position of the wafer based on the imaging light flux reflected off the wafer surface. Subsequently, that area is irradiated with a second imaging light flux under a second state where the wafer is turned by 180˚ from the first state, and the XY positional information of the mark is detected after adjusting the Z position of the wafer based on the imaging light flux reflected off the wafer surface. Since the same area is irradiated with each of imaging light fluxes, focus state before turning the wafer can be reproduced accurately after turning the wafer. A detection lag caused by the detection system and a detection lag caused by the formational state of the mark can be calculated accurately using the positional information thus obtained.
(FR)Dans un premier état dans lequel la relation de position entre une plaquette W et un capteur d'alignement (14) est dans un état spécifié, un contrôleur principal (20) irradie une zone au voisinage de la marque d'alignement sur la plaquette W avec un premier flux lumineux d'imagerie, et détecte les informations de position XY de la marque après ajustement de la position Z de la plaquette en fonction du flux lumineux d'imagerie réfléchi par la surface de la plaquette. Ensuite, cette zone est irradiée avec un second flux lumineux d'imagerie dans un second état dans lequel la plaquette est tournée de 180° par rapport au premier état, et les informations de position XY de la marque sont détectées après ajustement de la position Z de la plaquette en fonction du flux lumineux d'imagerie réfléchi par la surface de la plaquette. Etant donné que la même zone est irradiée avec chacun des flux lumineux d'imagerie, l'état de focalisation avant la rotation de la plaquette peut être reproduit de manière précise après rotation de ladite plaquette. Les informations de position ainsi obtenues permettent de calculer précisément un retard de détection provoqué par le système de détection et un retard de détection provoqué par l'état de formation de la marque.
(JA) 主制御装置(20)は、ウエハWとアライメントセンサ(14)との位置関係が所定の状態にある第1の状態で、ウエハ上のアライメントマーク近傍の照射領域に第1結像光束を照射し、該結像光束のウエハ表面からの反射光に基づいてウエハのZ位置を調整した後、マークのXY位置情報を検出する。次いで、第1の状態からウエハを180°回転した第2の状態で、前記照射領域に第2結像光束を照射し、該結像光束のウエハ表面からの反射光に基づいてウエハのZ位置を調整した後、マークのXY位置情報を検出する。この場合、各結像光束は同一の照射領域に照射されるので、ウエハ回転後に回転前のフォーカス状態を正確に再現できる。このようにして得られた位置情報を用いることで、検出系に起因する検出ずれ及びマークの形成状態に起因する検出ずれを精度良く算出することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)