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1. (WO2004003266) POROUS SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND GaN SEMICONDUCTOR MULTILAYER SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/003266    International Application No.:    PCT/JP2003/008173
Publication Date: 08.01.2004 International Filing Date: 26.06.2003
Chapter 2 Demand Filed:    15.12.2003    
IPC:
C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/18 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: HITACHI CABLE, LTD. [JP/JP]; 6-1, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8166 (JP) (For All Designated States Except US).
NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 108-8001 (JP) (For All Designated States Except US).
SHIBATA, Masatomo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OSHIMA, Yuichi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ERI, Takeshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
USUI, Akira [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUNAGAWA, Haruo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SHIBATA, Masatomo; (JP).
OSHIMA, Yuichi; (JP).
ERI, Takeshi; (JP).
USUI, Akira; (JP).
SUNAGAWA, Haruo; (JP)
Agent: HIRATA, Tadao; HIRATA & PARTNERS, World Wide Center, 1-13, Sanban-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0075 (JP)
Priority Data:
2002-190270 28.06.2002 JP
Title (EN) POROUS SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND GaN SEMICONDUCTOR MULTILAYER SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) SUBSTRAT POREUX ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT, ET SUBSTRAT A COUCHES MULTIPLES SEMI-CONDUCTEUR EN GAN ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 多孔質基板とその製造方法、GaN系半導体積層基板とその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A structure of a substrate used for growing a crystal layer of a semiconductor, particularly a group-III nitride semiconductor and its manufacturing method. The substrate comprises two porous layers on a base. The mean opening diameter of the pores of the first porous laser, the outermost layer, is smaller than the means diameter of the pores in the second porous layer nearer to the base than the first porous layer. The first and second porous layers have volume porosities of 10 to 90%. More than 50% of the pores of the first porous layer extend from the surface of the first porous layer and reach the interface between the first and second porous layers. Even by a conventional crystal growing method, an epitaxial crystal of low defect density can be easily grown on the porous substrate.
(FR)L'invention concerne une structure de substrat utilisée afin de faire croître une couche cristalline d'un semi-conducteur, en particulier un semi-conducteur de nitrure du groupe III et un procédé de fabrication correspondant. Le substrat comprend deux couches poreuses sur une base. Le diamètre d'ouverture moyen des pores de la première couche poreuse, la couche la plus à l'extérieur, est plus petit que le diamètre moyen des pores de la seconde couche, plus proche de la base, que celui des pores de la première couche. Les première et seconde couches poreuses possèdent des porosités en volume de 10 à 90 %. Plus de 50 % des pores de la première couche poreuse partent de la surface de la première couche poreuse et atteignent l'interface entre les première et seconde couches poreuses. Même l'utilisation d'un procédé classique de croissance de cristal permet d'obtenir sur le substrat poreux une croissance facile de cristal épitaxial avec une faible densité de défauts.
(JA)not available
Designated States: CN, DE, KR, US.
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)