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1. (WO2004002882) DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF CHLOROTRIFLUORIDE AND SYSTEM FOR ETCHING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES USING SAID DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2004/002882    International Application No.:    PCT/DE2003/001014
Publication Date: 08.01.2004 International Filing Date: 27.03.2003
IPC:
B01J 19/08 (2006.01), C01B 7/24 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H05H 1/24 (2006.01)
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
LAERMER, Franz [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: LAERMER, Franz; (DE)
Priority Data:
102 29 037.7 28.06.2002 DE
Title (DE) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG VON CHLORTRIFLUORID UND ANLAGE ZU ÄTZUNG VON HALBLEITERSUBSTRATEN MIT DIESER VORRICHTUNG
(EN) DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF CHLOROTRIFLUORIDE AND SYSTEM FOR ETCHING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES USING SAID DEVICE
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE DE PRODUCTION DE TRIFLUORURE DE CHLORE ET INSTALLATION D'ATTAQUE DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS A L'AIDE DE CE DISPOSITIF
Abstract: front page image
(DE)Es wird eine Vorrichtung (6) und ein Verfahren zur Erzeugung von Chlortrifluorid vorgeschlagen, wobei im Inneren eines Plasmareaktors (100) mit Hilfe von Plasmaerzeugungsmitteln (110, 120, 130, 150, 155, 160, 170, 180) ein hochdichtes Plasma (105) erzeugt wird, und wobei dem Plasmareaktor (100) über Gaszufuhrmittel (21, 22, 25, 26) ein erstes Gas und ein zweites Gas zugeführt werden, die unter dem Einfluss des hochdichten Plasmas (105) in dem Plasmareaktor (100) unter Bildung von Chlortrifluorid miteinander reagieren. Daneben ist ein Gasauslass (20) vorgesehen ist, mit dem das gebildete Chlortrifluorid aus dem Plasmareaktor (100) abführbar ist. Schliesslich wird eine Anlage (5) zur Ätzung von Halbleitersubstraten (30), insbesondere Siliziumwafern, mit einer vorgeschalteten derartigen Vorrichtung (6) vorgeschlagen, wobei die Anlage (5) eine Prozesskammer (10) aufweist, die über den Gasauslass (20) mit dem Plasmareaktor (100) verbunden ist, und wobei das Halbleitersubstrat (30) in der Prozesskammer (10) angeordnet und dem von der Vorrichtung (5) erzeugten gasförmigen Chlortrifluorid ausgesetzt ist.
(EN)Disclosed is a device (6) and a method for the production of chlorotrifluoride, wherein a high-density plasma (105) is produced inside a plasma reactor (10) with the aid of plasma production means (110, 120, 130, 150, 155, 160, 170, 180) and a first gas and a second gas are fed to the plasma reactor (100) using gas supply means (21, 22, 25, 26), said gases reacting with each other under the effect of the high-density plasma (105) inside the plasma reactor in order to form chlorotrifluoride. A gas outlet (20) is also provided in order to evacuate the chlorotrifluoride from the plasma reactor (100). The invention also relates to a system (5) for etching semiconductor substrates (30), especially silicon wafers, using an upstream device (6) of the above variety. The system (5) comprises a process chamber (10) which is connected to the plasma reactor (100) via the gas outlet (20). The semiconductor substrate (30) is arranged in the process chamber (10) and is exposed to the gaseous chlorotrifluoride produced by the device (5).
(FR)Dispositif (6) et procédé de production de trifluorure de chlore. Selon ledit procédé, un plasma à haute densité (105) est produit à l'intérieur d'un réacteur à plasma (100) à l'aide de moyens de production (110, 120, 130, 150, 155, 160, 170, 180) de plasma. Un premier gaz et un second gaz sont introduits par des dispositifs d'introduction (21, 22, 25, 26) de gaz dans le réacteur à plasma (100), ces deux gaz réagissant sous l'influence du plasma à haute densité (105) dans le réacteur à plasma pour former du trifluorure de chlore. Ledit dispositif comporte également un orifice de sortie (20) de gaz par lequel le trifluorure de chlore formé peut être évacué du réacteur à plasma (100). La présente invention concerne enfin une installation (5) destinée à l'attaque de substrats semi-conducteurs (30), en particulier de tranches de silicium, à l'aide d'un dispositif (6) du type susmentionné. Cette installation (5) comporte une chambre de traitement (10) en communication avec le réacteur à plasma (100) via l'orifice de sortie (20) de gaz. Le substrat semi-conducteur (30), qui est placé dans la chambre de traitement (10), est exposé au trifluorure de chlore gazeux produit par le dispositif (5).
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)