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1. (WO2003079446) HARD MASK PROCESS FOR MEMORY DEVICE WITHOUT BITLINE SHORTS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/079446    International Application No.:    PCT/US2003/001855
Publication Date: 25.09.2003 International Filing Date: 21.01.2003
Chapter 2 Demand Filed:    10.10.2003    
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Applicants: SPANSION, LLC [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, Post Office Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventors: YANG, Jean, Y.; (US).
RAMSBEY, Mark, T.; (US).
SHIRAIWA, Hidehiko; (US).
WU, Yider; (US).
LINGUNIS, Emmanuil; (US).
KAMAL, Tazrien; (US)
Agent: COLLOPY, Daniel, R.; Advanced Micro Devices, Inc., One AMD Place, Mail Stop 68, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US).
WRIGHT, Hugh. R.; Brookes Batchellor LLP, 102-108 Clerkenwell Road, London EC1M 5SA (GB)
Priority Data:
10/100,485 14.03.2002 US
Title (EN) HARD MASK PROCESS FOR MEMORY DEVICE WITHOUT BITLINE SHORTS
(FR) PROCEDE SERVANT A EVITER LES COURTS-CIRCUITS DE LIGNES DE BITS DANS UN COMPOSANT DE MEMOIRE AU MOYEN D'UN MASQUE DUR
Abstract: front page image
(EN)A manufacturing method for a MirrorBit® Flash memory includes providing a semiconductor substrate [102] [602] and depositing a charge−trapping dielectric layer [504] [606]. First and second bitlines [512] [608] are implanted and a wordline layer [515] is deposited [610]. A hard mask layer [516] is deposited over the wordline layer [515] [612]. The hard mask layer [516] is of a material formulated for removal without damaging the charge−trapping dielectric layer [504]. A photoresist [518] is deposited over the wordline layer [515] and used to form a hard mask [519] [618]. The photoresist [518] is removed [620]. The wordline layer [515] is processed using the hard mask [519] to form a wordline [525−528].
(FR)Procédé de fabrication d'une mémoire Flash MirrorBit® consistant à mettre en application un substrat de semi-conducteur (102) (602) et à déposer une couche diélectrique (504) (606) de piégeage de charge. On implante une première et une deuxième lignes de bits (502) (608) et on dépose (610) une couche de ligne de mots (515). On dépose une couche de masque dur (516) au dessus de la couche de ligne de mots (515) (612). Cette couche de masque dur (516) est constituée par un matériau conçu pour être enlevé sans détériorer la couche diélectrique (504) de piégeage de charge. On dépose une résine photosensible (518) au dessus de la couche de ligne de mots (515) et on l'utilise afin de créer un masque dur (519) (618). On retire (620) cette résine photosensible (518). On traite la couche de ligne de mots (515) au moyen du masque dur (519) afin de créer une ligne de mots (525-528) (622) et on retire (624) le masque dur (519). On effectue la croissance d'un saliciure sans court-circuiter la première et la deuxième lignes de bits (512) (628).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)