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1. (WO2003079417) MIM CAPACITOR WITH METAL NITRIDE ELECTRODE MATERIALS AND METHOD OF FORMATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/079417    International Application No.:    PCT/US2003/007049
Publication Date: 25.09.2003 International Filing Date: 10.03.2003
Chapter 2 Demand Filed:    30.09.2003    
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way, Boise, ID 83707-0006 (US)
Inventors: BASCERI, Cem; (US).
GRAETTINGER, Thomas, M.; (US)
Agent: D'AMICO, Thomas, J.; Dickstein Shapiro Morin & Oshinsky LLP, 2101 L Street NW, Washington, DC 20037-1526 (US)
Priority Data:
10/093,470 11.03.2002 US
Title (EN) MIM CAPACITOR WITH METAL NITRIDE ELECTRODE MATERIALS AND METHOD OF FORMATION
(FR) CONDENSATEUR MIM COMPRENANT DES MATERIAUX D'ELECTRODE AU NITRURE METALLIQUE ET PROCEDE DE PRODUCTION
Abstract: front page image
(EN)An MIM capacitor with low leakage and high capacitance is disclosed. A layer of titanium nitride (TiN) or boron-doped titanium nitride (TiBN) material is formed as a lower electrode over an optional capacitance layer of hemispherical grained polysilicon (HSG). Prior to the dielectric formation, the first layer may be optionally subjected to a nitridization or oxidation process. A dielectric layer of, for example, aluminum oxide (Al2O3) formed by atomic layer deposition (ALD) is fabricated over the first layer and after the optional nitridization or oxidation process. An upper electrode of titanium nitride (TiN) or boron-doped titanium nitride (TiBN) is formed over the dielectric layer.
(FR)La présente invention concerne un condensateur MIM à faible perte et capacitance élevée. Une couche de nitrure de matériau en nitrure de titane (TiN) ou en nitrure de titane dopé au bore (TiBN) est formée en tant qu'électrode inférieure sur une couche de capacitance optionnelle de polysilicium à grains hémisphériques (HSG). Avant la formation du diélectrique, la première couche peut être facultativement soumise à un traitement de nitruration ou d'oxydation. Une couche diélectrique d'oxyde d'aluminium (Al2O3) par exemple, formée par dépôt de couches atomiques (ALD) est réalisée sur la première couche et après le traitement facultatif de nitruration ou d'oxydation. Une électrode supérieure en nitrure de titane (TiN) ou en nitrure de titane dopé au bore (TiBN) est formée au-dessus de la couche diélectrique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)