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1. (WO2003079364) MAGNETIC STORAGE DEVICE USING FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/079364    International Application No.:    PCT/JP2003/003195
Publication Date: 25.09.2003 International Filing Date: 17.03.2003
IPC:
G11C 11/16 (2006.01)
Applicants: SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-35, Kitashinagawa 6-chome Shinagawa-ku, Tokyo 141-0001 (JP) (For All Designated States Except US).
MORIYAMA, Katsutoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MORI, Hironobu [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: MORIYAMA, Katsutoshi; (JP).
MORI, Hironobu; (JP)
Agent: UCHINO, Yoshihiro; Imaizumi Koporasu 1F, 4-26 Imaizumi 2-chome, Chuo-ku Fukuoka-shi, Fukuoka 810-0021 (JP)
Priority Data:
2002-077818 20.03.2002 JP
Title (EN) MAGNETIC STORAGE DEVICE USING FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE MAGNETIQUE UTILISANT UN ELEMENT DE JONCTION A EFFET TUNNEL FERROMAGNETIQUE
Abstract: front page image
(EN)A magnetic storage device such that data is stored in a ferromagnetic tunnel junction element reliably with low power consumption. Data to be stored is written in a ferromagnetic tunnel element of a magnetic storage device by exerting a write magnetic force on the ferromagnetic tunnel element, and the stored data written in the ferromagnetic tunnel element is read by measuring the resistance of the ferromagnetic tunnel element. The magnitude of the write magnetic force is variable.
(FR)L'invention concerne un dispositif de stockage magnétique permettant de stocker des données dans un élément de jonction à effet tunnel ferromagnétique de manière fiable et avec une faible consommation d'énergie. Les données à stocker sont écrites dans un élément à effet tunnel ferromagnétique d'un dispositif de stockage magnétique par application d'une force magnétique sur cet élément à effet tunnel ferromagnétique, les données stockées écrites dans l'élément à effet tunnel ferromagnétique étant lues par mesure de la résistance dudit élément à effet tunnel ferromagnétique. L'amplitude de la force magnétique d'écriture est variable.
Designated States: CN, KR, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)