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1. (WO2003079331) MAGNETORESISTIVE ELEMENT OF CPP STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/079331    International Application No.:    PCT/JP2002/002684
Publication Date: 25.09.2003 International Filing Date: 20.03.2002
Chapter 2 Demand Filed:    14.08.2002    
IPC:
G11B 5/31 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01)
Applicants: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 211-8588 (JP) (For All Designated States Except US).
OSHIMA, Hirotaka [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHIMIZU, Yutaka [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TANAKA, Atsushi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OSHIMA, Hirotaka; (JP).
SHIMIZU, Yutaka; (JP).
TANAKA, Atsushi; (JP)
Agent: YAMAZAKI, Kaoru; Suite 403, New Kudan Mansion, 6-13, Kudan-minami 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 102-0074 (JP)
Priority Data:
Title (EN) MAGNETORESISTIVE ELEMENT OF CPP STRUCTURE
(FR) ELEMENT MAGNETORESISTIF DE STRUCTURE CPP
Abstract: front page image
(EN)A magnetoresistive film (43) spreads from a medium opposing plane (28) of a head slider toward its rear side. An upper electrode layer (46) is stacked on an upper boundary surface (43b) of the magnetoresistive film. In the upper electrode layer (46), a low resistance region (46a) is formed to spread from the front end exposed to the medium opposing plane (28) along the upper boundary surface (43b) toward the rear side and a high resistance region (46b) having a higher resistivity than the low resistance region is formed to spread from the rear end of the low resistance region (46a) along the upper boundary surface (43b) toward the rear side. In the magnetoresistive film (43), the high resistance region (46b) functions to shift a sense current passage toward the side of the medium opposing plane (28). Sense current flow is concentrated along the medium opposing plane (28). When magnetization rotation is realized with a sufficient rotation amount in the magnetoresistive film (43) in the vicinity of the medium opposing plane (28), a sufficient resistance change can be maintained in the magnetoresistive element of the CPP structure. It is possible to obtain a sufficient sensitivity.
(FR)Un film magnétorésistant (43) s'étend depuis le plan opposé central (28) d'un curseur de tête de lecture jusqu'à l'arrière. Une couche d'électrode supérieure (46) est appliquée sur une surface de bordure supérieure (43b) du film magnétorésitant. Dans la couche d'électrode supérieure (46), une région de faible résistance (46a) s'étend depuis l'extrémité avant exposée au plan opposé central (28) le long de la surface de bordure supérieure (43b), jusqu'à l'arrière. Une région de haute résistance (46b) présentant une résistivité plus élevée que celle de la région à faible résistance s'étend depuis l'extrémité arrière de la région à faible résistance (46a) le long de la surface de bordure supérieure (43b), jusqu'à l'arrière. Dans le film magnétorésistant (43), la région de haute résistance (46b) agit de façon à dévier le courant détecté en direction du flanc du plan opposé central (28). Le courant circulant détecté est concentré le long du plan opposé central (28). Lorsque la rotation de magnétisation est effectuée avec une rotation suffisante dans le film magnétorésistant (43) à proximité du plan opposé central (28), un changement de résistance suffisant peut être maintenu dans l'élément magnétorésistant de la structure CPP. Il est ainsi possible d'obtenir une sensibilité suffisante.
Designated States: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (DE, FR, GB).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)