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1. (WO2003079117) FULL PHASE SHIFTING MASK IN DAMASCENE PROCESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/079117    International Application No.:    PCT/US2003/006041
Publication Date: 25.09.2003 International Filing Date: 27.02.2003
IPC:
G03F 1/00 (2012.01), G03F 7/20 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01)
Applicants: NUMERICAL TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 70 West Plumeria, San Jose, CA 95134 (US)
Inventors: PIERRAT, Christophe; (US)
Agent: HARMS, Jeanette S.; Bever, Hoffman & Harms, LLP, 2099 Gateway Place, Suite 320, San Jose, CA 95110 (US)
Priority Data:
60/363,674 11.03.2002 US
10/295,575 14.11.2002 US
Title (EN) FULL PHASE SHIFTING MASK IN DAMASCENE PROCESS
(FR) MASQUE A DEPHASAGE COMPLET DANS PROCEDE DE DAMASQUINAGE
Abstract: front page image
(EN)A full phase shifting mask (FPSM) can be advantageously used in a damascene process for hard-to-etch metal layers. Because the FPSM can be used with a positive photoresist, features on an original layout can be replaced with shifters on a FPSM layout. Adjacent shifters should be of opposite phase, e.g. 0 and 180 degrees. In one embodiment, a dark field trim mask can be used with the FPSM. The trim mask can include cuts that correspond to cuts on the FPSM. Cuts on the FPSM can be made to resolve phase conflicts between proximate shifters. In one case, exposing two proximate shifters on the FPSM and a corresponding cut on the trim mask can form a feature in the metal layer. The FPSM and/or the trim mask can include proximity corrections to further improve printing resolution.
(FR)L'invention concerne un masque à déphasage complet (FPSM) pouvant être utilisé de manière avantageuse dans un procédé de damasquinage pour des couches métalliques difficiles à graver. Le FPSM pouvant être utilisé avec une photorésine positive, des éléments sur une topologie originale peuvent être replacés au moyen de décaleurs sur une topologie de FPSM. Des décaleurs adjacents doivent présenter une phase opposée, par exemple de 0 et de 180 degrés. Dans un mode de réalisation, un masque d'ajustage sur fond sombre peut être utilisé avec le FPSM. Ce masque d'ajustage peut comprendre des entailles qui correspondent à des entailles sur le FPSM. Les entailles sur le FPSM peuvent être réalisées afin de résoudre des conflits de phase entre des décaleurs proches les uns des autres. Dans un cas, l'exposition de deux décaleurs proches l'un de l'autre et d'une entaille correspondante sur le masque d'ajustage peut former un élément dans la couche métallique. Le FPSM et/ou le masque d'ajustage peuvent comprendre des corrections de proximité afin d'améliorer davantage la résolution d'impression.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)