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1. (WO2003079112) METHOD OF PRODUCING AN ETCH−RESISTANT POLYMER STRUCTURE USING ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/079112    International Application No.:    PCT/CA2003/000136
Publication Date: 25.09.2003 International Filing Date: 31.01.2003
Chapter 2 Demand Filed:    04.08.2003    
IPC:
G03F 1/78 (2012.01), G03F 1/22 (2012.01), G03F 7/004 (2006.01), H01L 21/308 (2006.01)
Applicants: QUANTISCRIPT INC. [CA/CA]; 2500 University Boulevard, Sherbrooke, Quebec J1K 2R1 (CA) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NE, NL, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW only).
LAVALLEE, Eric [CA/CA]; (CA) (For US Only).
BEAUVAIS, Jacques [CA/CA]; (CA) (For US Only).
DROUIN, Dominique [CA/CA]; (CA) (For US Only).
CLOUTIER, Mélanie [CA/CA]; (CA) (For US Only)
Inventors: LAVALLEE, Eric; (CA).
BEAUVAIS, Jacques; (CA).
DROUIN, Dominique; (CA).
CLOUTIER, Mélanie; (CA)
Agent: BROUILLETTE, Robert; Brouillette Kosie Prince, 1100 René Lévesque Blvd West, 25th Floor, Montreal, Quebec, H3B 5C9 (CA)
Priority Data:
2,377,081 15.03.2002 CA
Title (EN) METHOD OF PRODUCING AN ETCH−RESISTANT POLYMER STRUCTURE USING ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE STRUCTURE POLYMERE RESISTANT A LA GRAVURE UTILISANT LA LITHOGRAPHIE PAR FAISCEAU D'ELECTRONS
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to a method of producing a structure of etch−resistant polymer on a substrate. A layer of sterol capable of polymerizing to form this structure is first deposited on a face of the substrate. Then, a first region of the layer of sterol is exposed to an electron beam to locally polymerize this layer and form the structure of etch−resistant polymer. A second region of the layer of sterol that has not been exposed to the electron beam is removed to leave. on the face of the substrate only the structure of etch−resistant polymer. Finally, a region of the face of the substrate not covered by the structure of etch−resistant polymer can be etched away, and the structure of etch−resistant polymer removed following this etching.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'une structure de polymère résistant à la gravure sur un substrat, qui comporte les étapes consistant à : déposer initialement sur une face du substrat une couche de stérol pouvant polymériser pour former cette structure ; exposer ensuite une première région de la couche de stérol à un faisceau d'électrons afin de polymériser cette couche et former la structure de polymère résistant à la gravure ; éliminer une deuxième région de la couche de stérol, qui n'a pas été exposée au faisceau d'électrons, de manière à ne laisser sur la face du substrat que la structure de polymère résistant à la gravure ; éliminer enfin par gravure une région de la face du substrat qui n'est pas couverte par la structure de polymère résistant à la gravure, et éliminer ensuite la structure de polymère résistant à la gravure.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)