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1. WO2003077287 - ETCHING METHODS FOR A MAGNETIC MEMORY CELL STACK

Publication Number WO/2003/077287
Publication Date 18.09.2003
International Application No. PCT/US2003/005685
International Filing Date 24.02.2003
IPC
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
F
MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
41
Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling the devices covered by this subclass
14
for applying magnetic films to substrates
30
for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy (MBE)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43
Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
12
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
H01F 41/30 (2006.01)
H01L 43/12 (2006.01)
CPC
B82Y 25/00
B82Y 40/00
H01F 41/308
H01L 43/12
Applicants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054, US
Inventors
  • HWANG, Jeng, H.; US
  • JIN, Guangxiang; US
  • CHEN, Xiaoyi; US
Agents
  • PATTERSON, B., Todd ; Moser, Patterson & Sheridan, L.L.P. 3040 Post Oak Blvd. Suite 1500 Houston, TX 77056, US
Priority Data
10/092,45606.03.2002US
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) ETCHING METHODS FOR A MAGNETIC MEMORY CELL STACK
(FR) PROCEDES DE GRAVURE POUR PILE DE CELLULE DE MEMOIRE MAGNETIQUE
Abstract
(EN)
A method and apparatus for etching a magnetic memory cell stack are described. More particularly, HCl is used as a main etchant gas for etching a magnetic memory cell stack. HCI is used in part to reduce corrosion and improve selectivity. Additionally, use of an amorphous carbon or hydrocarbon based polymer resin for a hard mask is described, as well as a post-etch passivation with a water rinse, a water vapor plasma treatment or an ammonia plasma treatment. Moreover, in an embodiment, a diffusion barrier layer dispose most of the magnetic memory cell stack is etched with hydrogen and fluorine containing gas in a separate process chamber.
(FR)
L'invention concerne un procédé et un dispositif destinés à graver une pile de cellule de mémoire magnétique. Plus particulièrement, on utilise du HCl comme gaz de gravure pour graver une pile de cellule de mémoire magnétique. Le HCl est utilisé en partie pour réduire la corrosion et augmenter la sélectivité. En outre, l'invention concerne l'utilisation d'un carbone amorphe ou d'une résine polymère à base d'hydrocarbure pour un masque dur, ainsi qu'une passivation post-gravure avec un rinçage à l'eau, un traitement au plasma de vapeur d'eau ou un traitement au plasma d'ammoniac. Par ailleurs, dans un mode de réalisation, une couche barrière de diffusion disposée dans la majeure partie de la pile de cellule de mémoire magnétique est gravée au moyen d'un gaz contenant de l'hydrogène et du fluor dans une chambre de traitement séparée.
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