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1. (WO2003077285) THIN-FILM CAPACITOR HAVING MULTI-LAYER DIELECTRIC FILM INCLUDING SILICON DIOXIDE AND TANTALUM PENTOXIDE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/077285    International Application No.:    PCT/US2003/006990
Publication Date: 18.09.2003 International Filing Date: 07.03.2003
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Applicants: ALPINE MICROSYSTEMS, INC. [US/US]; 3259 Kifer Road, Santa Clara, CA 95051 (US)
Inventors: LaFLEUR, Mike; (US)
Agent: BROOKS, Kenneth; Law Office of Kenneth C. Brooks, P.O. Box 10417, Austin, TX 78766-1417 (US)
Priority Data:
10/093,961 08.03.2002 US
Title (EN) THIN-FILM CAPACITOR HAVING MULTI-LAYER DIELECTRIC FILM INCLUDING SILICON DIOXIDE AND TANTALUM PENTOXIDE
(FR) CONDENSATEUR A COUCHE MINCE COMPORTANT UN FILM DIELECTRIQUE MULTICOUCHE A BASE DE DIOXYDE DE SILICIUM ET DE PENTOXYDE DE TANTALE
Abstract: front page image
(EN)A capacitor (10) and a method of forming the same, one embodiment of which includes depositing a multi-layer dielectric film (18a, 18b,) between first and second spaced-apart electrodes (14, 16). The multi-layer dielectric film includes first and second layers that have differing roughness. The layer of the dielectric film having the least amount of roughness is disposed adjacent to the first electrode (14). After depositing the second layer (18a) of the dielectric film adjacent to the first layer (18b), the second layer is annealed. An exemplary embodiment of the thin film capacitor forms the dielectric material from silicon dioxide (SiO2) and tantalum pentoxide (Ta2O5).
(FR)L'invention concerne un condensateur et un procédé de fabrication de ce condensateur. Un premier mode de réalisation correspondant consiste à déposer un film diélectrique multicouche entre des première et seconde électrodes espacées. Ce film diélectrique multicouche comprend des première et seconde couches de rugosité inégale. La couche du film diélectrique la moins rugueuse est disposée à proximité de la première électrode. Lorsque la seconde couche du film diélectrique est disposée à proximité de la première couche, la seconde couche est recuite. Un mode de réalisation cité en exemple et relatif au condensateur à film mince forme le matériau diélectrique à partir de dioxyde de silicium (SiO2) et de pentoxyde de tantale (Ta2O5).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)