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1. (WO2003076954) HIGH RESOLUTION SCANNING MAGNETIC MICROSCOPE OPERABLE AT HIGH TEMPERATURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/076954    International Application No.:    PCT/US2003/006973
Publication Date: 18.09.2003 International Filing Date: 07.03.2003
Chapter 2 Demand Filed:    06.10.2003    
IPC:
G01R 33/09 (2006.01), G01N 27/72 (2006.01), G01N 27/82 (2006.01), G01Q 60/50 (2010.01), G01Q 60/54 (2010.01), G01R 33/038 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01), H01L 43/02 (2006.01), H01L 43/04 (2006.01), H01L 43/06 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Applicants: BROWN UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION [US/US]; P.O. Box 1949, Providence, RI 02912 (US) (For All Designated States Except US).
XIAO, Gang [US/US]; (US) (For US Only).
SCHRAG, Benaiah, D. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: XIAO, Gang; (US).
SCHRAG, Benaiah, D.; (US)
Agent: SMITH, Harry, F.; Harrington & Smith, LLP, 4 Research Drive, Shelton, CT 06484-6212 (US)
Priority Data:
60/362,788 08.03.2002 US
Title (EN) HIGH RESOLUTION SCANNING MAGNETIC MICROSCOPE OPERABLE AT HIGH TEMPERATURE
(FR) MICROSCOPE MAGNETIQUE A BALAYAGE HAUTE RESOLUTION FONCTIONNANT A TEMPERATURE ELEVEE
Abstract: front page image
(EN)A scanning magnetic microscope (SMM) (20) includes a current source (27) for imposing an excitation current to a conductor-under-test (CUT) 70 and, if applicable, a reference current to a proximally located reference conductor (72). During accelerated testing, the SMM (20) corrects thermal drift of the CUT (70) via the reference conductor (72). A sensor (21) may be cooled by a heat sink (31) such as a pump (33) directing an airstream or a coldfinger (80). The sensor may switch from a contact to a non-contact mode of scanning the CUT (70). The SMM (20) and methods are useful for measuring electromigration in a CUT (70) as it occurs, for assembling the images into time lapsed representations such as a shape of the CUT (70), for measuring electromigration as a function of a cross sectional area of a wire under a dielectric material (DM) (78), for determining electrical parameters of the CUT (70), and for optimizing a thickness of a DM (78) over a CUT (70). The SMM (20) and methods are further useful for measuring morphological changes in a CUT (70) due to other stressing conditions, such as temperature, excitation current, physical stress(es), hostile environment, aging, semiconductor 'burn-in', or irradiation.
(FR)L'invention concerne un microscope magnétique à balayage (SMM) (20) qui comprend une source de courant (27) permettant d'imposer un courant d'excitation à un conducteur à tester (CUT) (70), et dans la mesure du possible, un courant de référence à un conducteur de référence (72) situé à proximité. Pendant l'essai accéléré, le SMM (20) corrige la dérive thermique du CUT (70) par l'intermédiaire du conducteur de référence (72). Un capteur (21) peut être refroidi par un dissipateur thermique (31) de type pompe (33) qui dirige un flux d'air ou un réfrigérant à immersion (80). Ce capteur (80) peut passer d'un mode de contact à un mode de non contact de balayage du CUT (70). Ledit SMM (20) et les procédés associés servent: à mesurer l'électromigration dans un CUT (70) à mesure que celle-ci se produit; à assembler des images en représentations échelonnées dans le temps, de type forme du CUT (70); à mesurer l'électromigration en tant que fonction d'une surface de section transversale d'un câble sous un matériau diélectrique (DM) (78);à déterminer des paramètres électriques du CUT (70); et à optimiser une épaisseur d'un DM (78) sur un CUT (70). Ledit SMM (20) et les procédés associés servent en outre à mesurer les changements morphologiques d'un CUT (70) dus à d'autres conditions de contraintes, de type température, courant d'excitation, contrainte(s) physique(s), environnement hostile, vieillissement, combustion interne du semiconducteur, ou exposition au rayonnement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)