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1. (WO2003076119) METHOD OF CUTTING PROCESSED OBJECT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/076119    International Application No.:    PCT/JP2003/002867
Publication Date: 18.09.2003 International Filing Date: 11.03.2003
Chapter 2 Demand Filed:    11.03.2003    
IPC:
B23K 26/38 (2014.01), B28D 1/22 (2006.01), B28D 5/00 (2006.01), C03B 33/02 (2006.01), C03B 33/033 (2006.01), C03B 33/07 (2006.01), H01L 21/301 (2006.01)
Applicants: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Hamamatsu-shi, Shizuoka 435-8558 (JP) (For All Designated States Except US).
FUKUYO, Fumitsugu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
FUKUMITSU, Kenshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: FUKUYO, Fumitsugu; (JP).
FUKUMITSU, Kenshi; (JP)
Agent: HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Ginza First Bldg., 10-6, Ginza 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 104-0061 (JP)
Priority Data:
2002-67372 12.03.2002 JP
Title (EN) METHOD OF CUTTING PROCESSED OBJECT
(FR) PROCEDE DE DECOUPE D'OBJET TRAITE
Abstract: front page image
(EN)A method of cutting a processed object capable of accurately cutting a processed object, comprising the steps of radiating laser beam (L) to the inside of the processed object (1) such as a silicon wafer with a condensing point (P) focused thereto to form reformed areas (7) in the processed object (1) by absorbing multiple photons, forming cut start areas (8) eccentric from the centerline (CL) of the processed object (1) in thickness direction to the surface (3) side of the processed object (1) along a predicted cut line, and pressing the processed object (1) from the rear (21) side thereof, whereby the processed object (1) can be accurately cut along the predicted cut line by producing cracking starting at the cut start areas (8).
(FR)L'invention concerne un procédé de découpe d'objet traité, qui permet de découper précisément un tel objet. Le procédé comporte les étapes consistant à diriger un faisceau laser (L) sur l'intérieur de l'objet traité (1), p. ex. tranche de silicium, en concentrant sur celui-ci un point de condensation (P) afin de former des zones reformées (7) dans cet objet (1) par absorption de multiples photons ; à former des zones (8) de départ de coupe excentrées de la ligne centrale (CL) de l'objet (1), dans le sens de l'épaisseur vers la surface (3) de l'objet (1), le long d'une ligne de coupe prévue ; et à presser l'objet (1) depuis la face arrière (21) de celui-ci. L'objet traité (1) peut ainsi être découpé précisément le long de la ligne de coupe prévue par la production d'un départ par criquage dans les zones (8) de départ de coupe.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)