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1. (WO2003075356) CONTACT PORTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL FOR DISPLAY DEVICE INCLUDING THE CONTACT PORTION, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/075356    International Application No.:    PCT/KR2002/000805
Publication Date: 12.09.2003 International Filing Date: 30.04.2002
IPC:
G02F 1/1335 (2006.01), G02F 1/1362 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Applicants: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 416, Maetan-dong, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 442-742 (KR) (For All Designated States Except US).
YOU, Chun-Gi [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: YOU, Chun-Gi; (KR)
Agent: YOU ME PATENT & LAW FIRM; Teheran Bldg., 825-33, Yoksam-dong, Kangnam-ku, Seoul 135-080 (KR)
Priority Data:
2002/12086 07.03.2002 KR
Title (EN) CONTACT PORTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL FOR DISPLAY DEVICE INCLUDING THE CONTACT PORTION, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) PORTION DE CONTACT DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE, PANNEAU DE RESEAU DE TRANSISTORS EN COUCHE MINCE POUR DISPOSITIF D'AFFICHAGE CONTENANT LA PORTION DE CONTACT ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Abstract: front page image
(EN)A gate wire including gate lines, gate electrodes, and gate pads and extending in a transverse direction is formed on a substrate. A gate insulating layer is formed thereafter, and a semiconductor layer and an ohmic contact layer are sequentially formed thereon. A conductive material is deposited and patterned to form a data wire including data lines intersecting the gate lines, source electrodes, drain electrodes, and data pads. A first insulating layer made of silicon nitride is deposited on the substrate, and a second insulating layer made of a photosensitive organic insulating material is coated on the first insulating layer. The second insulating layer is patterned to form an unevenness pattern on its surface and first contact holes exposing the first insulating layer opposite the drain electrodes. Subsequently, the first insulating layer is patterned together with the gate insulating layer by photo etch using a photoresist pattern to form contact holes respectively exposing the drain electrodes, the gate pads, and the data pads. Next, indium-tin-oxide (ITO) or indium-zinc-oxide (IZO) is deposited and patterned to form transparent electrodes, subsidiary gate pads, and subsidiary data pads respectively connected to the drain electrodes, the gate pads and the data pads. Finally, a reflective conductive material is deposited and patterned to form reflecting films having respective apertures in the pixel area on the transparent electrodes.
(FR)L'invention concerne la formation sur un substrat d'un fil de grille, dans une direction transversale, comprenant des lignes de grille, des électrodes de grille et des plages de grille. Une couche d'isolante de grille est ensuite formée, puis séquentiellement sont formées une couche semi-conductrice et une couche de contact ohmique. Un matériau conducteur est alors déposé et structuré afin de former un fil de données comprenant des lignes de données réalisant des intersections avec les lignes de grille, les électrodes de source, les électrodes de drain et les plages de données. Une première couche isolante en nitrure de silicium est déposée sur le substrat, puis une seconde couche isolante constituée de matériau isolant organique photosensible est déposée sur la première couche isolante. La seconde couche isolante est structurée afin de former une structure inégale sur sa surface et des premiers trous de contact exposant la première couche isolante opposée aux électrodes de drain. Puis, la première couche isolante est structurée en même temps que la couche isolante de grille par gravure photochimique au moyen d'une structure en photorésine afin de former des trous de contact exposant respectivement les électrodes de drain, les plages de grille, et les plages de données. Un oxyde d'indium-étain (ITO) ou d'indium-zinc (IZO) est ensuite déposé et structuré afin de former des électrodes transparentes, des plages de grille auxiliaires et des plages de données auxiliaires respectivement connectées aux électrodes de drain, aux plages de grille et aux plages de données. Enfin, un matériau conducteur réfléchissant est déposé et structuré afin de former des films réfléchissants comportant des ouvertures dans la zone de pixel sur les électrodes transparentes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: Korean (KO)