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1. (WO2003075332) POLISHING COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING WIRING STRUCTURE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/075332    International Application No.:    PCT/JP2003/002490
Publication Date: 12.09.2003 International Filing Date: 04.03.2003
IPC:
C09G 1/02 (2006.01), C09K 3/14 (2006.01)
Applicants: FUJIMI INCORPORATED [JP/JP]; 1-1, Chiryo 2-chome, Nishibiwajima-cho Nishikasugai-gun, Aichi 452-8502 (JP) (For All Designated States Except US).
OHNO, Koji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
HORIKAWA, Chiyo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAKAI, Kenji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAMAI, Kazusei [JP/JP]; (JP) (For US Only).
INA, Katsuyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OHNO, Koji; (JP).
HORIKAWA, Chiyo; (JP).
SAKAI, Kenji; (JP).
TAMAI, Kazusei; (JP).
INA, Katsuyoshi; (JP)
Agent: ONDA, Hironori; 12-1, Ohmiya-cho 2-chome Gifu-shi, Gifu 500-8731 (JP)
Priority Data:
2002-57497 04.03.2002 JP
2002-289201 01.10.2002 JP
Title (EN) POLISHING COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING WIRING STRUCTURE
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE ET CREATION D'UNE STRUCTURE EN FIL
Abstract: front page image
(EN)A first polishing composition which comprises at least one selected from among silicon dioxide and periodic acid and salts thereof, at least one selected from tetraalkylammonium hydroxides and tetraalkylammonium chlorides, hydrochloric acid, and water, and is substantially free of iron; and a second polishing composition which comprises a predetermined amount of fumed silica, at least one selected from a predetermined amount of periodic acid and salts thereof, a tetraalkylammonium salts represented by the following general formula (1): (1), at least one selected from ethylene glycol and propylene glycol, and water, and has a pH of 1.8 or higher and less than 4.0. The above polishing compositions can be used for polishing a semiconductor device advantageously.
(FR)Cette invention concerne une première composition de polissage comprenant au moins l'une des substances suivantes dioxyde de silicium et acide périodique, ainsi que leurs sels, au moins l'une des substances suivantes hydroxydes de tétraalkylammonium et chlorures de tétratalkylammonium, acide chlorhydrique - et eau, et qui est sensiblement exempte de fer ; et une seconde composition de polissage renfermant une quantité prédéterminée de silice fumé, au moins une des substances suivantes en quantité prédéterminée acide périodique et ses sels, sel de tétraalkylammonium, représentée par la formule générale (I) suivante ; et au moins une des substances suivantes éthylène glycol et propylène glycol et eau, avec un pH de 1, 8 ou plus et de 4,0 ou moins. Les compositions susmentionnées conviennent bien pour le polissage de dispositifs semi-conducteurs.
Designated States: CN, KR, SG, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)