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1. (WO2003075278) MRAM DATA MEMORY COMPRISING AN INTERMEDIATE LAYER MADE OF A SEMICONDUCTIVE MATERIAL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/075278    International Application No.:    PCT/EP2003/002205
Publication Date: 12.09.2003 International Filing Date: 04.03.2003
IPC:
G11C 11/15 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01)
Applicants: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; Wilhelm-Johnen-Strasse, 52425 Jülich (DE) (For All Designated States Except US).
GRÜNBERG, Peter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BÜRGLER, Daniel [CH/DE]; (DE) (For US Only).
GAREEV, Rashid [RU/DE]; (DE) (For US Only).
SCHREIBER, Reiner [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: GRÜNBERG, Peter; (DE).
BÜRGLER, Daniel; (DE).
GAREEV, Rashid; (DE).
SCHREIBER, Reiner; (DE)
Agent: PAUL, Dieter-Alfred; Hellersbergstrasse 18, 41460 Neuss (DE)
Priority Data:
102 09 508.6 05.03.2002 DE
Title (DE) MRAM-DATENSPEICHER MIT EINER ZWISCHENSCHICHT AUS HALBLEITENDEM MATERIAL
(EN) MRAM DATA MEMORY COMPRISING AN INTERMEDIATE LAYER MADE OF A SEMICONDUCTIVE MATERIAL
(FR) MEMOIRE DE DONNEES MRAM ET PROCEDE DE STOCKAGE DE DONNEES DANS UNE TELLE MEMOIRE
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung bezieht sich auf einen MRAM-Datenspeicher mit einer Vielzahl von Speicherzellen (10), die jeweils eine auf einem Substrat (11) angeordnete erste ferromagnetische Schicht (12) mit einer festen magnetischen Ausrichtung (pinned layer), eine zweite ferromagentische Schicht (14) mit einer leicht drehbaren magnetischen Ausrichtung (free layer) und eine zwischen den ferromagnetischen Schichten (12, 14) angeordnete Zwischenschicht (13) aufweisen, und ist dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht (13) aus einem halbleitenden Material besteht. Die Erfindung betrifft desweiteren ein Verfahren zur Speicherung von Daten in einem solchen MRAM-Datenspeicher.
(EN)The invention relates to an MRAM data memory comprising a multitude of memory locations (10). Each memory location comprises a first ferromagnetic layer (12), which is applied to a substrate (11) and which has a fixed magnetic orientation (pinned layer), a second ferromagnetic layer (14), which has a slightly rotatable magnetic orientation (free layer), and an intermediate layer (13), which is placed between the ferromagnetic layers (12, 14). The MRAM data memory is characterized in that the intermediate layer (13) is made of a semiconductive material. The invention also relates to a method for storing data in an MRAM data memory of the aforementioned type.
(FR)L'invention concerne une mémoire de données MRAM comportant une pluralité de cellules mémoire (10) respectivement composées d'une première couche ferromagnétique (12) disposée sur un substrat (11), présentant une magnétisation fixe, d'une deuxième couche ferromagnétique (14) présentant une magnétisation pouvant être tournée légèrement, et d'une couche intermédiaire (13) disposée entre les couches ferromagnétiques (12, 14). Ladite mémoire de données MRAM est caractérisée en ce que la couche intermédiaire (13) est composée d'un matériau semi-conducteur. L'invention concerne également un procédé de stockage de données dans une telle mémoire MRAM.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)