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1. (WO2003074995) METHOD OF USING HIGH YIELDING SPECTRA SCATTEROMETRY MEASUREMENTS TO CONTROL SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESSES AND SYSTEMS FOR ACCOMPLISHING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/074995    International Application No.:    PCT/US2002/040273
Publication Date: 12.09.2003 International Filing Date: 17.12.2002
Chapter 2 Demand Filed:    12.09.2003    
IPC:
G01N 21/47 (2006.01), G01N 21/95 (2006.01), G01N 21/956 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: ADVANCED MICRO DEVICES , INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, P.O.Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US)
Inventors: STIRTON, James, Broc; (US).
LENSING, Kevin, R.; (US).
NARIMAN, Homi, E.; (US).
REEVES, Steven, P.; (US)
Agent: DRAKE, Paul, S.; Advanced Micro Devices, Inc., 5204 East Ben While Boulevard, M/S 562, Austin, TX 78741 (US).
PICKER, Madeline, M.; Brookes Batchellor LLP, 102-108 Clerkenwell Road, London EC1M 5SA (GB)
Priority Data:
10/084,987 28.02.2002 US
Title (EN) METHOD OF USING HIGH YIELDING SPECTRA SCATTEROMETRY MEASUREMENTS TO CONTROL SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESSES AND SYSTEMS FOR ACCOMPLISHING SAME
(FR) PROCEDE D'UTILISATION DE MESURES PAR DIFFUSIOMETRIE SPECTRALE DE HAUTE PRECISION POUR LA COMMANDE DE PROCEDES DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS ET SYSTEMES POUR LA MISE EN OEUVRE DUDIT PROCEDE
Abstract: front page image
(EN)A method of using high yielding spectra scatterometry measurements to control semiconductor manufacturing processes and systems for accomplishing same is disclosed. In one embodiment, the method comprises providing a library comprised of at least one target optical characteristic trace of a grating structure comprised of a plurality of gate stacks, the target corresponding to a semiconductor device having at least one desired electrical performance characteristic, proving a substrate 38 having a least one grating structure 50 formed thereabove, the formed grating structure 5o comprpised of a plurality of gate stacks 30, illuminating at least one grating structure 50 formed above said substrate 38, measuring light reflected off of the grating structure 50 formed above the substrate 38 to generate an optical characteristic trace for the formed grating structure 50, and comparing the generated optical characteristic trace to the target trace.
(FR)L'invention concerne un procédé d'utilisation de mesures par diffusiométrie spectrale de haute précision pour la commande de procédés et de systèmes de fabrication de semi-conducteurs. Dans un mode de réalisation, le procédé consiste à : fournir une banque constituée d'au moins une trace caractéristique optique cible d'une structure de réseau constituée de plusieurs ensembles de grilles, la trace cible correspondant à un dispositif à semi-conducteur possédant au moins une caractéristique de fonctionnement recherchée ; fournir un substrat (38) possédant au moins la structure de réseau (50) formée au-dessus dudit substrat, structure (50) se composant de plusieurs ensembles de grilles (30) ; éclairer au moins une structure de réseau (50) formée au-dessus dudit substrat (38) ; mesurer la lumière réfléchie par la structure de réseau (50) formée sur le substrat (38) pour générer une trace caractéristique optique pour la structure de réseau (50) formée ; et comparer la trace de caractéristique optique générée à la trace cible.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)