WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2003073503) FUSE STRUCTURE PROGRAMMING BY ELECTROMIGRATION OF SILICIDE ENHANCED BY CREATING TEMPERATURE GRADIENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/073503    International Application No.:    PCT/EP2003/002024
Publication Date: 04.09.2003 International Filing Date: 27.02.2003
Chapter 2 Demand Filed:    19.09.2003    
IPC:
H01L 23/525 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, D-81541 München (DE).
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Inventors: IYER, S., Sundar, K.; (US).
IYER, Subramanian, S.; (US).
KOTHANDARAMAN, Chandrasekharan; (US).
NARAYAN, Chandrasekhar; (US)
Agent: KARL, Frank; Patentanwälte Kindermann, Postfach 1330, 85627 Grasbrunn (DE).
KINDERMANN, Peter; Postfach 13 30, 85627 Grasbrunn (DE)
Priority Data:
60/360,372 28.02.2002 US
10/247,415 19.09.2002 US
Title (EN) FUSE STRUCTURE PROGRAMMING BY ELECTROMIGRATION OF SILICIDE ENHANCED BY CREATING TEMPERATURE GRADIENT
(FR) AMELIORATION DE LA PROGRAMMATION DE LA STRUCTURE DES FUSIBLES PAR ELECTROMIGRATION DU SILICIURE PAR LA CREATION D'UN GRADIENT THERMIQUE
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a system, apparatus and method of programming via electromigration. A semiconductor fuse which includes a cathode and an anode coupled by a fuse link having an electrically conductive component, such as silicide, is coupled to a power supply. A potential is applied across the conductive fuse link via the cathode and anode in which the potential is of a magnitude to initiate electromigration of silicide from a region of the semiconductor fuse reducing the conductivity of the fuse link. The electromigration is enhanced by effectuating a temperature gradient between the fuse link and one of the cathode and anode responsive to the applied potential. Portions of the semiconductor fuse are selectively cooled in a heat tranfer relationship to increase the temperature gradient. In one embodiment, a heat sink is applied to the cathode.
(FR)L'invention concerne des système, appareil et procédé de programmation par électromigration. Un fusible de semiconducteur comprenant une cathode et une anode couplées par une liaison fusible à composant conducteur, tel que le siliciure, est couplé à une alimentation. Un potentiel est appliqué à la liaison fusible conductrice via la cathode et l'anode dans lesquelles l'amplitude du potentiel permet de déclencher l'électromigration du siliciure d'une région du fusible de semiconducteur qui réduit la conductivité de la liaison fusible. L'application d'un gradient thermique entre la liaison fusible et la cathode ou l'anode sensible au potentiel appliqué, favorise l'électromigration. Certaines parties du fusible de semiconducteur sont sélectivement refroidies par transfert de chaleur pour augmenter le gradient de température. Dans un mode de réalisation, un dissipateur de chaleur est appliqué sur la cathode.
Designated States: European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)