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1. (WO2003073460) FARADAY SHIELDS AND PLASMA WAFER PROCESSING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/073460    International Application No.:    PCT/US2003/004830
Publication Date: 04.09.2003 International Filing Date: 19.02.2003
Chapter 2 Demand Filed:    05.09.2003    
IPC:
H01J 37/32 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; TBS Broadcast Center, 3-6 Akasaka 5-chome, Minato-ky, Tokyo 107 (JP).
TOKYO ELECTRON ARIZONA, INC. [US/US]; 2120 W. Guadalupe Road, Gilbert, AZ 852333-8205 (US) (JP only)
Inventors: BRCKA, Josef; (US)
Agent: FREI, Donald, F.; Wood, Herron & Evans, L.L.P., 2700 Carew Tower, Cincinnati, OH 45202 (US).
LLOYD, Wise; Commonwealth House, 1-19 New Oxford Street, London WC1A 1LW (GB)
Priority Data:
10/080,496 22.02.2002 US
Title (EN) FARADAY SHIELDS AND PLASMA WAFER PROCESSING
(FR) CAGES DE FARADAY ET TRAITEMENT DE TRANCHE SEMI-CONDUCTRICE PAR PLASMA
Abstract: front page image
(EN)An improved deposition baffle (30), that is provided to protect a dielectric window from conductive deposits, is provided in high-density-plasma apparatus having slots (31) with features (34) therein ehich spatially distribute the transmitted RF power density through a baffle. The features form connections and current paths across the slot boundaries on the side of the baffle that faces the plasma, away from the window through which a coil couples RF power, thereby minimizing interference with the inductive coupling. In one embodiment, bridges (34) across the slots (31) on the plasma side of the baffle improve the flux distribution through the babble. In another embodiment, blades (37) in and parallel to the slots, on the coil side of the baffle but which are supported by connections on the plasma side of the baffle, reduce the formation of plasma in the slots and prevents resputtering of material from the slot boundaries. In a plasma source with a deposition baffle, plasma ignited at low power levels within a wide pressure range up to 20 mTorr with a combination of RF power of at least 300 watts, but less than 600 watts, and the ramping of DC power on a target or other electrode from 0 watts to up to a level of not more than approximately 20 watts over a period of several seconds.
(FR)L'invention concerne un déflecteur amélioré (30) de procédé de dépôt, mis en oeuvre afin de protéger une fenêtre diélectrique de dépôts conducteurs dans un appareil à plasma haute densité, comportant des fentes (31) dotées de caractéristiques (34) distribuant dans l'espace la densité d'énergie RF à travers un déflecteur. Les caractéristiques forment des connexions et des chemins de courant en travers des limites des fentes sur le côté du déflecteur faisant face au plasma, à l'opposé de la fenêtre à travers laquelle une bobine couple l'énergie RF, permettant ainsi de minimiser l'interférence avec le couplage inductif. Dans un mode de réalisation, des ponts (34) enjambant les fentes (31), côté plasma du déflecteur, améliorent la distribution de flux à travers le déflecteur. Dans un autre mode de réalisation, des lames (37) dans les fentes et parallèles aux fentes, côté bobine du déflecteur, mais supportées par des connexions situées du côté plasma du déflecteur, réduisent la formation de plasma dans les fentes et empêchent une revaporisation du matériau à partir des limites des fentes. Dans une source de plasma avec déflecteur de dépôt, le plasma est allumé à des niveaux faibles de puissance dans un large domaine de pression, jusqu'à 20 mTorr, avec une combinaison de puissance RF d'au moins 300 watts, mais inférieure à 600 watts, et la montée de la puissance CC sur une cible ou sur une autre électrode passant de 0 watts jusqu'à approximativement 20 watts, sans les dépasser, sur une période de plusieurs secondes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)