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1. (WO2003073427) SHARED BIT LINES IN STACKED MRAM ARRAYS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/073427    International Application No.:    PCT/US2003/004981
Publication Date: 04.09.2003 International Filing Date: 19.02.2003
Chapter 2 Demand Filed:    12.09.2003    
IPC:
G11C 11/15 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01)
Applicants: HEWLETT-PACKARD COMPANY [US/US]; 3000 Hanover Street, Palo Alto, CA 94304 (US)
Inventors: BLOOMQUIST, Darrel, R.;
Agent: GRIEBENOW, L., Joy; Hewlett-Packard Company, Intellectual Property Administration, P.O. Box 272400, Mail Stop 35, Ft. Collins, CO 80527-2400 (US).
LYREN, Philip, S.; P.O. Box 272400, Mail Stop 35, Fort Collins, CO 80257-2400 (US)
Priority Data:
10/080,771 22.02.2002 US
Title (EN) SHARED BIT LINES IN STACKED MRAM ARRAYS
(FR) LIGNES DE BITS PARTAGEES DANS DES MATRICES DE MEMOIRE VIVE MAGNETIQUE EMPILEES
Abstract: front page image
(EN)A multi-layer random access memory device uses a shared conductive trace for writing to the MRAM memory cells. The MRAM has N (where N is greater than 1) stacked magnetic storage elements, where each of the N magnetic storage elements is operatively positioned between a different adjacent pair of N+1 stacked conductive traces. In one embodiment, the MRAM device includes a first conductive trace for generating a first magnetic field in response to a current applied to the first conductive trace, a second conductive trace for generating a second magnetic field in response to a current applied to the second conductive trace, and a third conductive trace for generating a third magnetic field in response to a current applied to the third conductive trace. A first magnetic storage element is operatively positioned between the first and second conductive traces and is adapted to store a bit of data as an orientation of magnetization and rotate its orientation of magnetization in response to the first and second magnetic fields generated by the first and second conductive traces. A second magnetic storage element is operatively positioned between the second and third conductive traces and is adapted to store a bit of data as an orientation of magnetization and rotate its orientation of magnetization in response to the second and third magnetic fields.
(FR)L'invention concerne un dispositif de mémoire vive multicouches utilisant une trace conductrice partagée permettant l'écriture sur les cellules de la mémoire vive magnétique. Cette mémoire vive magnétique comprend N éléments de stockage magnétiques empilés (N étant supérieur à 1), chaque élément magnétique étant disposé fonctionnellement entre une paire adjacente différente de N+1 traces conductrices empilées. Dans un mode de réalisation, le dispositif de mémoire vive magnétique comprend: une première trace conductrice destinée à produire un premier champ magnétique en réponse à un courant appliqué sur ladite première trace conductrice; une deuxième trace conductrice destinée à produire un deuxième champ magnétique en réponse à un courant appliqué sur ladite deuxième trace conductrice; ainsi qu'une troisième trace conductrice destinée à produire un troisième champ magnétique en réponse à un courant appliqué sur ladite troisième trace conductrice. Un premier élément de stockage magnétique est disposé fonctionnellement entre lesdites première et deuxième traces conductrices, ce premier élément étant conçu pour stocker un bit de données utilisé en tant qu'orientation de magnétisation, et pour faire pivoter ladite orientation de magnétisation en réponse auxdits premier et deuxième champs magnétiques produits par lesdites première et deuxième traces conductrices. Un deuxième élément de stockage magnétique est disposé fonctionnellement entre lesdites deuxième et troisième traces conductrices, ce deuxième élément étant conçu pour stocker un bit de données utilisé en tant qu'orientation de magnétisation, et pour faire pivoter ladite orientation de magnétisation en réponse auxdits deuxième et troisième champs magnétiques.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)