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1. (WO2003063310) LASER DIODE COMPRISING A VERTICAL RESONATOR AND A METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/063310    International Application No.:    PCT/DE2002/000337
Publication Date: 31.07.2003 International Filing Date: 25.01.2002
Chapter 2 Demand Filed:    13.08.2003    
IPC:
H01S 5/183 (2006.01), H01S 5/20 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; Sankt-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
STEINLE, Gunther [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WOLF, Hans-Dietrich [AT/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: STEINLE, Gunther; (DE).
WOLF, Hans-Dietrich; (DE)
Agent: MAIKOWSKI & NINNEMANN; Postfach 15 09 20, 10691 Berlin (DE)
Priority Data:
Title (DE) LASERDIODE MIT VERTIKALRESONATOR UND VERFAHREN ZU SIENER HERSTELLUNG
(EN) LASER DIODE COMPRISING A VERTICAL RESONATOR AND A METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) DIODE LASER A RESONATEUR VERTICAL ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Laserdiode mit einem Vertikalresonator und ein Verfahren zu deren Herstellung, bei dem zwischen Spiegelschichten mindestens eine aktive Schicht (2) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen den Spiegelschichten (3) mindestens eine Antioxidationsschicht (1) aus einem III-V-Halbleitermaterial mit einem molaren Aluminium-Anteil von weniger als 0,7 und/oder mindestens eine Antioxidationschict (1) aus einem III-V-Halbleitermaterial mit einer optischen Dicke von mindestens zwei Viertelwellenlängen angeordnet ist, wodurch Verspannungen durch unbeabsichtigte Osication vermieden werden.
(EN)The invention relates to a laser diode comprising a vertical resonator and to a method for the production thereof, whereby at least one active layer (2) is arranged between reflective layers. The invention is characterised in that at least one anti-oxidation layer (1) consisting of a III-V semiconductor material with a proportion of molar aluminium of less than 0.7 and/or at least one anti-oxidation layer (1) consisting of a III-V semiconductor material with an optical depth of at least two quarter waves is arranged between the reflective layers (3), thus preventing distortion caused by unintentional oxidation.
(FR)L'invention concerne une diode laser à résonateur vertical et un procédé de fabrication associé, selon lequel au moins une couche active (2) est disposée entre des couches miroirs. L'invention est caractérisée en ce qu'entre ces couches miroirs (3) se trouvent au moins une couche antioxydante (1) en matériau semi-conducteur III-V dont la part molaire d'aluminium est inférieure à 0,7 et/ou au moins une couche antioxydante (1) en matériau semi-conducteur III-V dont l'épaisseur optique est au moins égale à deux quarts d'onde, des déformations dues à une oxydation involontaire étant ainsi évitées.
Designated States: US.
European Patent Office (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)