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1. (WO2003061087) TEMPERATURE-STABILISED SEMICONDUCTOR LASER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/061087    International Application No.:    PCT/DE2003/000155
Publication Date: 24.07.2003 International Filing Date: 20.01.2003
IPC:
H01S 5/068 (2006.01), H01S 5/12 (2006.01), H01S 5/125 (2006.01), H01S 5/34 (2006.01)
Applicants: JULIUS-MAXIMILIANS-UNIVERSITÄT WÜRZBURG [DE/DE]; Sanderring 2, 97070 Würzburg (DE) (For All Designated States Except US).
REITHMAIER, Johann, Peter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KLOPF, Frank [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: REITHMAIER, Johann, Peter; (DE).
KLOPF, Frank; (DE)
Agent: TAPPE, Hartmut; Böck Tappe Kollegen, Patent- und Rechtsanwälte, Kantstrasse 40, 97074 Würzburg (DE)
Priority Data:
102 02 074.4 18.01.2002 DE
Title (DE) TEMPERATURSTABILE HALBLEITERLASER
(EN) TEMPERATURE-STABILISED SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER A SEMI-CONDUCTEURS STABLE EN TEMPERATURE
Abstract: front page image
(DE)Es wird ein Halbleiterlaser vorgeschlagen, der in einem Energiebereich um die Emissionswellenlänge eine flache Verstärkungskurve (41) aufweist. Wenn die Steigung dgmatdE (42) der Verstärkungskurve gmat(E) (41) klein ist (ein bis zwei Größenordnungen kleiner als bei konventionellen Halbleiterlasermaterialien), führt dies zu einer besonders niedrigen Temperaturdrift dχ/dT (43) des Halbleiterlasers. Zur Realisierung einer solchen flachen Verstärkungskurve (41) wird ein Quantenpunktlaser (42) vorgeschlagen, welcher zwei Energieniveaus aufweist, die in einem günstigen Energieabstand zueinander liegen und ein vorteilhaftes Verstärkungsverhältnis zueinander aufweisen. Durch eine entsprechende Prozessführung bei der Ausbildung der Quantenpunktschicht werden die einzelnen Energieniveaus so verbreitert, dass sich eine gesamte Verstärkungskurve gmat(E) 41) mit geringer Steigung dgmat/dE (42) ergibt. Ein solcher temperaturstabilisierter Halbleiterlaser kann auch durch einen Quantendrahtlaser realisiert werden.
(EN)The invention relates to a semiconductor laser, which exhibits a flat amplification curve (41) in an energy range around the emission wavelength. When the gradient dgmat/dE (42) of the amplification curve gmat(E) (41) is small (one to two orders of magnitude smaller than in conventional semiconductor materials), the semiconductor laser exhibits a particularly low temperature drift d$g(l)/dT (43). A flat amplification curve (41) of this type can be achieved by a quantum dot laser (42) with two energy levels, which are separated by a favourable energy band gap and have a favourable amplification ratio in relation to one another. By guiding the process appropriately during the formation of the quantum dot layer, the individual energy levels are spread in such a way that a total amplification curve gmat(E) (41) with a small gradient dgmat/dE (42) is obtained. A temperature-stabilised semiconductor laser of this type can also be achieved by a quantum wire laser.
(FR)L'invention concerne un laser à semi-conducteurs présentant une courbe de gain (41) plate dans un domaine d'énergie situé autour de la longueur d'onde d'émission. Lorsque la pente dgmat/dE (42) de la courbe de gain gmat (E) (41) est faible (jusqu'à deux ordres de grandeur plus faible que pour des matériaux de laser à semi-conducteurs traditionnels), le laser à semi-conducteurs présente une dérive de température d$g(l)/dT (43) particulièrement basse. Ladite courbe de gain (41) plate peut être obtenue au moyen d'un laser à points quantiques (42) qui présente deux niveaux énergétiques situés à une distance énergétique avantageuse l'un par rapport à l'autre et présentant un rapport d'amplification favorable l'un par rapport à l'autre. Un procédé correspondant utilisé lors de la formation de la couche de points quantiques permet d'élargir les niveaux énergétiques individuels de façon à obtenir une courbe de gain gmat (E) (41) totale présentant une pente dgmat/dE (42) faible. Le laser à semi-conducteurs stabilisé en température selon l'invention peut également être produit au moyen d'un laser à fils quantiques.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)