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1. (WO2003061002) INTEGRATION SCHEME FOR ADVANCED BEOL METALLIZATION INCLUDING LOW−K CAPPING LAYER AND METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/061002    International Application No.:    PCT/US2002/037756
Publication Date: 24.07.2003 International Filing Date: 22.11.2002
IPC:
H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US)
Inventors: GATES, Stephen; (US).
AGARWALA, Birendra, N.; (US).
FITZSIMMONS, John, A.; (US).
LEE, Jia; (US).
LUSTIG, Naftali, E.; (US).
WANG, Yun, Yu; (US)
Agent: PEPPER, Margaret, A.; International Business Machines Corporation Dept. 18G, Bldg. 300/482 2070 Route 52 Hopwell Junction, NY 12533 (US)
Priority Data:
10/047,968 15.01.2002 US
Title (EN) INTEGRATION SCHEME FOR ADVANCED BEOL METALLIZATION INCLUDING LOW−K CAPPING LAYER AND METHOD THEREOF
(FR) SYSTEME D'INTEGRATION DE METALLISATION BEOL AVANCEE COMPRENANT UNE COUCHE D'ENCAPSULATION A FAIBLE K ET PROCEDE ASSOCIE
Abstract: front page image
(EN)An advanced back−end−of−line (BEOL) metallization structure is disclosed. The structure includes a diffusion barrier or cap layer (116, 122) having a low dielectric constant (low−k). The cap layer (116, 122) is formed of amorphous nitrogenated hydrogenated silicon cabride, and has a dielectric constant (k) of less than about 5. A method for forming the BEOL metallization structure is also disclosed, where the cap layer (116, 122) is deposited using a plasma−enhanced chemical vapor deposition (PE CVD) process. The invention is particularly useful in interconnect structure comprising low−k dielectric material for the inter−layer dielectric (ILD) and copper for the conductors.
(FR)L'invention concerne une structure de métallisation avancée de ligne finale (BEOL). Cette structure comprend une barrière de diffusion ou couche d'encapsulation (116, 122) possédant une faible constante diélectrique (faible k). La couche d'encapsulation (116, 122) est formée de carbure de silicium amorphe azoté hydrogéné et possède une constante diélectrique (k) inférieure à environ 5. L'invention concerne également un procédé de formation de la structure de métallisation BEOL, consistant à déposer la couche d'encapsulation (116, 122) à l'aide d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (PE CVD). L'invention s'utilise en particulier dans une structure d'interconnexion comprenant un matériau diélectrique à faible k pour le diélectrique intercouche (ILD) et du cuivre pour les conducteurs.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)