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1. (WO2003060983) BILAYER HDP CVD / PE CVD CAP IN ADVANCED BEOL INTERCONNECT STRUCTURES AND METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/060983    International Application No.:    PCT/US2002/037758
Publication Date: 24.07.2003 International Filing Date: 22.11.2002
Chapter 2 Demand Filed:    14.08.2003    
IPC:
H01L 21/768 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NJ 10504 (US).
INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 Munich (DE)
Inventors: CHEN, Tze-Chiang; (US).
ENGEL, Brett, H.; (US).
FITZSIMMONS, John, A.; (US).
KANE, Terence; (US).
LUSTIG, Naftali, e.; (US).
MCDONALD, Ann; (US).
MCGAHAY, Vincent; (US).
SEO, Soon-Cheon; (US).
STAMPER, Anthony, K.; (US).
WANG, Yun, Yu; (US).
KALTALIOGLU, Erdem; (US)
Agent: PEPPER, Margaret, A.; International Business Machines Corporation, Dept. 18G, Bldg. 300/482, 2070 Route 52, Hopewell Junction, NY 12533 (US)
Priority Data:
10/047,964 15.01.2002 US
Title (EN) BILAYER HDP CVD / PE CVD CAP IN ADVANCED BEOL INTERCONNECT STRUCTURES AND METHOD THEREOF
(FR) ENCAPSULATION HDP CVD / PE CVD BICOUCHE DANS DES STRUCTURES D'INTERCONNEXION BEOL AMELIOREES ET PROCEDE CORRESPONDANT
Abstract: front page image
(EN)An advanced back-end-of-line (BEOL) metallization structure is disclosed. The structure includes a bilayer diffusion barrier or cap, where the first cap layer (116, 123) is formed of a dielectric material preferably deposited by a high density plasma chemical vapor deposition (HDP CVD) process, and the second cap layer (117, 124) is formed of a dielectric material preferably deposited by a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PE CVD) process. A method for forming the BEOL metallization structure is also disclosed. The invention is particularly useful in interconnect structures comprising low-k dielectric material for the inter-layer dielectric (ILD) and copper for the conductors.
(FR)L'invention concerne une structure de métallisation de fabrication finale (BEOL) améliorée. La structure selon l'invention comprend une barrière de diffusion ou une encapsulation bicouche, la première couche d'encapsulation (116, 123) étant constituée d'un matériau diélectrique déposé de préférence selon un procédé de dépôt chimique en phase vapeur à plasma haute densité (HDP CVD) et la deuxième couche d'encapsulation (117, 124) étant constituée d'un matériau diélectrique déposé de préférence selon un procédé de dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma (PE CVD). L'invention concerne également un procédé pour réaliser la structure de métallisation BEOL. L'invention est particulièrement utile dans des structures d'interconnexion comprenant un matériau diélectrique à faible constante k pour le diélectrique intercouche (ILD) et du cuivre pour les conducteurs.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)