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1. (WO2003060970) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/060970    International Application No.:    PCT/JP2003/000068
Publication Date: 24.07.2003 International Filing Date: 08.01.2003
Chapter 2 Demand Filed:    08.01.2003    
IPC:
C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01)
Applicants: RENESAS TECHNOLOGY CORP. [JP/JP]; 4-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-6334 (JP) (For All Designated States Except US).
HITACHI ULSI SYSTEMS CO., LTD. [JP/JP]; 22-1, Josuihoncho 5-chome, Kodaira-shi, Tokyo 187-8522 (JP) (For All Designated States Except US).
NORTHERN JAPAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGIES, INC. [JP/JP]; 1007-39, Izumisawa, Chitose-shi, Hokkaido 066-8511 (JP) (For All Designated States Except US).
KIKUCHI, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SAWADA, Toshiaki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMAMOTO, Hirohiko [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KIKUCHI, Hiroaki; (JP).
SAWADA, Toshiaki; (JP).
YAMAMOTO, Hirohiko; (JP)
Agent: TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, 3F, Azeria Bldg., 1-1, Nishi-shinjuku 8-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160-0023 (JP)
Priority Data:
2002-2507 09.01.2002 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE CIRCUIT INTEGRE A SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A method for forming a silicon film to which impurities are added by a low-pressure CVD apparatus while suppressing diffusion of impurities from a similar silicon film formed on the inner wall of the processing chamber. In this method, a semiconductor substrate on which, for example, a gate oxide film (insulating film) is formed is loaded in a processing chamber of a CVD apparatus (first film forming apparatus), the inside of the processing chamber is so heated that the time B required to heat the processing chamber under the condition that the inside of the processing chamber is evacuated to vacuum or to a pressure below the atmospheric pressure is decreased wherever possible with respect to the time A required to heat the processing chamber under the atmospheric pressure, and thereafter formation of a silicon film to which impurities are added is started. The relation between the times A, B is 0.1 × B ≤ A ≤ 13 × B.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un film en silicium auquel on ajoute des impuretés au moyen d'un appareil de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sous pression réduite tout en supprimant la diffusion d'impuretés d'un film en silicium analogue formé sur la paroi interne de la chambre de traitement. Dans ce procédé, un substrat à semi-conducteur, sur lequel on forme, par exemple, un film d'oxyde de grille (film isolant), est chargé dans une chambre de traitement d'un appareil CVD (premier appareil de formation de film), l'intérieur de ladite chambre est si chauffé que le temps B nécessaire pour chauffer ladite chambre, pour autant que le vide soit créé à l'intérieur de la chambre ou que la pression soit inférieure à la pression atmosphérique, est réduit chaque fois que possible par rapport au temps A nécessaire pour chauffer la chambre de traitement sous la pression atmosphérique, on démarre alors la formation d'un film en silicium auquel on ajoute des impuretés. La relation entre les temps A et B est 0,1 x B $m(F) A $m(F) 13 x B.
Designated States: CN, JP, KR, SG, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)