WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2003058729) ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/058729    International Application No.:    PCT/US2002/037957
Publication Date: 17.07.2003 International Filing Date: 25.11.2002
Chapter 2 Demand Filed:    27.05.2003    
IPC:
H01L 35/24 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01)
Applicants: MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 East Algonquin Road, Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventors: BRAZIS, Paul, W., Jr.; (US).
ZHANG, Jie; (US).
GAMOTA, Daniel, R.; (US).
KALYANSUNDARAM, Krishna; (US)
Agent: NICHOLS, Daniel, K.; Motorola, Inc., Intellectual Property Dept., 1303 East Algonquin Road, Schaumburg, IL 60196 (US)
Priority Data:
10/034,645 28.12.2001 US
Title (EN) ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET PROCEDE
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device comprising a flexible or rigid substrate (10) having a gate electrode (11) formed thereon with a source electrode (14) and a drain electrode (15) overlying the gate electrode (11) and organic semiconductor material (16) disposed at least partially thereover. The source electrode (14) and the drain electrode (15) each have a non-linear boundary segment that effectively extends the channel width between these two electrodes to thereby increase the current handling capability of the resultant device. In many of the embodiments, any of the above elements can be formed through contact or non-contact printing. Sizing of the resultant device can be readily scaled to suit various needs.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant un substrat flexible ou rigide (10) sur lequel est formée une électrode de grille (11), une électrode de source (14) et une électrode de drain (15) reposant sur l'électrode de grille (11) et une matière semi-conductrice organique (16) recouvrant au moins partiellement le substrat. L'électrode de source (14) et l'électrode de drain (15) présentent chacune un segment de limite non linéaire qui prolonge de manière efficace la profondeur du canal entre ces deux électrodes afin d'augmenter la capacité de prise en charge du courant du dispositif obtenu. Selon un grand nombre de modes de réalisation, un des éléments précités peut être formé par impression par contact ou sans contact. Le dimensionnement du dispositif obtenu peut être facilement mis à l'échelle afin de répondre aux différents besoins.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)