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1. (WO2003058705) EVALUATION CIRCUIT FOR AN ANTI−FUSE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/058705    International Application No.:    PCT/EP2002/014670
Publication Date: 17.07.2003 International Filing Date: 20.12.2002
Chapter 2 Demand Filed:    26.07.2003    
IPC:
G01R 31/07 (2006.01), G11C 17/18 (2006.01), H01L 23/525 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St. Martin-Strasse 53, 81669 München (DE)
Inventors: FREY, Ulrich; (US).
LEHMANN, Gunther; (US)
Agent: KINDERMANN, Peter; Postfach 1330, 85627 Grasbrunn (DE)
Priority Data:
10/044,470 11.01.2002 US
Title (EN) EVALUATION CIRCUIT FOR AN ANTI−FUSE
(FR) CIRCUIT D'EVALUATION D'UN ANTIFUSIBLE
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides for evaluating a programmable anti−fuse element. For a programmable transistor anti−fuse, the gate of the anti−fuse is precharged with a predetermined voltage and/or current and the anti−fuse is subsequently evaluated. In one embodiment a precharge voltage sufficient to turn ON a transistor is provided to the gate. Here, an intact (unblown) transistor remains ON over a period of time and a damaged (blown) transistor dissipates the charge voltage and turns OFF. The status of the transistor is subsequently determined by evaluating the resistance between the drain and source. A high resistance indicates a blown condition and a low resistance indicates an umblown condition. In another embodiment, a small current is provided to the gate in which the small current is greater than a leakage current for an intact transistor and is less than a leakage current for a damaged transistor. An intact transistor charges to an ON state over a period of time but a damaged transistor does not because it’s leakage current is greater than the small current provided to the gate. Again, the status of the transistor anti−fuse is subsequently determined by evaluating the resistance between the drain and source.
(FR)L'invention concerne l'évaluation d'un élément antifusible programmable. Concernant un antifusible à transistor programmable, la grille de l'antifusible est préchargée par une tension et/ou un courant prédéterminé, puis on évalue l'antifusible. Dans un mode de réalisation, une tension de précharge, suffisante pour mettre en marche un transistor, alimente la grille. En l'occurrence, un transistor intact (non fusion) reste en marche pendant un certain temps et un transistor endommagé (fusion) dissipe la tension de charge et s'arrête. L'état du transistor est par la suite déterminé par évaluation de la résistance entre le drain et la source. Une résistance élevée indique un état de fusion et une résistance faible indique un état de non fusion. Dans un autre mode de réalisation, un courant bas alimente la grille dans laquelle le courant bas est supérieur à un courant de fuite pour un transistor intact, et inférieur à un courant de fuite dans le cas d'un transistor endommagé. Un transistor intact charge à un état passant pendant un certain temps, mais un transistor endommagé ne le fait pas car son courant de fuite est supérieur au courant bas alimentant la grille. Une nouvelle fois, l'état de l'antifusible de transistor est par la suite déterminé par évaluation de la résistance entre le drain et la source.
Designated States: SG.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)