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1. (WO2003058700) PLASMA TREATMENT METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/058700    International Application No.:    PCT/JP2002/013861
Publication Date: 17.07.2003 International Filing Date: 27.12.2002
Chapter 2 Demand Filed:    22.07.2003    
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (For All Designated States Except US).
FUJIMOTO, Kiwamu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
JY, Jeong [KR/JP]; (JP) (For US Only).
FUSE, Takashi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: FUJIMOTO, Kiwamu; (JP).
JY, Jeong; (JP).
FUSE, Takashi; (JP)
Agent: YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0005 (JP)
Priority Data:
2002-933 07.01.2002 JP
2002-104160 05.04.2002 JP
Title (EN) PLASMA TREATMENT METHOD
(FR) PROCEDE DE TRAITEMENT AU PLASMA
Abstract: front page image
(EN)A method of plasma treatment which comprises etching an insulating film present on a Si-containing film (a barrier layer), conducting a cleaning within a treatment chamber, and then ashing a resist, or comprises conducting the etching of an insulating film present on the barrier layer and the ashing of a resist in separate treatment chambers, wherein, in either case, the ashing of a resist is conducted with a plasma of a mixed gas consisting of a major amount of N2 and a small amount of H2. In the case that the etching of an insulating film present on the barrier layer is directly followed by the ashing of a resist on the insulating film, a material (a F radical or the like) being reactive with the barrier layer is generated from by-products having been formed in the etching step and attached to an article (a part) in the treatment chamber, which results in the etching of the barrier layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement au plasma comprenant les étapes suivantes : attaque d'un film isolant présent sur un film contenant du Si (couche barrière); nettoyage dans une chambre de traitement et calcination d'un résist ; ou bien les étapes suivantes : attaque d'un film isolant présent sur la couche barrière et calcination d'un résist dans des chambres de traitement séparés. Dans chaque cas, la calcination d'un résist est effectuée avec un plasma d'un mélange gazeux comprenant en majorité du N2 et une faible quantité de H2. Dans le cas où l'attaque d'un film isolant présent sur un film situé sur la couche barrière est directement suivie par la calcination d'un résist sur le film isolant, un matériau (un radical F ou similaire) réagissant avec la couche barrière est produit à partir de sous-produits formés lors de l'étape d'attaque et appliqué sur un article (une pièce) dans la chambre de traitement, ce qui a pour effet d'attaquer la couche barrière.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)