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1. (WO2003058697) METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2003/058697    International Application No.:    PCT/JP2002/012830
Publication Date: 17.07.2003 International Filing Date: 06.12.2002
IPC:
B28D 5/02 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Applicants: DISCO CORPORATION [JP/JP]; 14-3, Higashi Kojiya 2-chome Ota-ku, Tokyo 144-0033 (JP) (For All Designated States Except US).
SEKIYA, Kazuma [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SEKIYA, Kazuma; (JP)
Agent: SASAKI, Isao; SASAKI, KAWAMURA & ASSOCIATES Toranomon Sangyo Bldg. 6F, 2-29, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
Priority Data:
2001-400865 28.12.2001 JP
Title (EN) METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE MICROPLAQUETE SEMI-CONDUCTRICE
Abstract: front page image
(EN)A method of manufacturing a semiconductor chip having no cut deformed layer and chipping and having a sufficiently high transverse strength, comprising the steps of, when dividing a semiconductor wafer (W) formed so that a plurality of circuits are divided by streets on a surface into semiconductor chips for each circuit, forming cut grooves (19a) not leading from the rear surfaces to the front surfaces of the streets so that uncut parts (20) are formed on the front surface side of the semiconductor wafer (W) and applying etching thereto from the rear surface side to edge the rear surface, side faces of the cut grooves, and uncut parts (20), whereby the wafer can be divided into the semiconductor chips.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production d'une microplaquette semi-conductrice qui ne comporte pas de couche déformée coupée ni de fentes et qui présente une résistance à la flexion suffisamment élevée. Lorsqu'il s'agit de diviser une tranche semi-conductrice (W) formée de sorte qu'une pluralité de circuits soit séparée par des rainures situées sur une surface pour produire des microplaquettes semi-conductrices pour chaque circuit, le procédé comprend les étapes suivantes: on forme des sillons (19a) ne partant pas des surfaces arrière jusqu'aux surfaces avant des rainures de sorte que des parties non coupées (20) soient formées sur le côté de surface avant de la tranche semi-conductrice (W) et on applique une gravure sur cette dernière depuis la surface arrière pour border la surface arrière, les faces latérales des sillons coupés et les parties non coupées (20), ceci permettant de diviser la tranche pour produire les microplaquettes semi-conductrices.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, OM, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)